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近日,韩国一家半导体企业宣布,他们也开发了>1200V>沟槽型SiC MOSFET器件,实现了>车规级>产品的本土化制造。>
>除了>罗姆>和>英飞凌>,国内外还有哪些企业和机构在开发沟槽型SiC MOSFET?今天,“三代半风向”给大家盘点一下。>
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韩国KEC:>
>已开发车规级沟槽型 SiCMOS>
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据韩媒4月4日报道,韩国>KEC>公司发布公告称,他们主导的韩国>国家项目>“电动汽车和新可再生能源用1200V沟槽型SiC MOSFET ”成功达到了性能要求。>一位KEC负责人表示:>“这项技术不仅要打入>汽车>和>工业市场>,还要打入门槛低的其他>民生市场>。>”>
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KEC于1969年成立,是韩国>非存储功率半导体>制造企业。>
> > > >据了解,在KEC获得该项目的研究成果之前,全球仅有>两家>公司能够>量产>1200V沟槽型SiC MOSFET。在沟槽型SiC功率半导体上,韩国100%>依赖进口>。>因此,在2017年10月,KEC的“1200V沟槽型SiC MOSFET器件”项目被韩国政府选定为国家项目。据KEC负责人黄昌燮透露,该项目的开发周期为>18个月>,并获得了28.33亿韩元(约>1470万>人民币)的研究费用。>
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6家企业已量产>
>博世、日立等紧随其后>
> > > > >除韩国KEC外,据“三代半风向”的不完全统计,目前已经有>6家>企业量产了沟槽SiC MOSFET。>
>▲ 2015年,>罗姆>开始批量生产业界>首个>沟槽型SiC MOSFET,将导通电阻降低了40%。>
>▲ 2016年,>英飞凌>推出>1200 V>沟槽SiC MOSFET——CoolSiC MOSFET,其导通电阻额定值为45mΩ。>
>▲ 2016年,>富士电机>开发了沟槽结构SiC MOSFET,阈值电压5 V,导通电阻3.5mΩcm²。>
>▲ 2018年12月,>住友电工>已经开发出SiC VMOSFET,实现了1170V/0.63mΩcm²的低导通态电阻。>
>▲ 2019年9月,>三菱电机>宣布开发出沟槽型SiC MOSFET,导通电阻1.84mΩcm²,击穿电压超过>1500V>。>
>▲ 2020年12月10日,>电装>宣布开始批量生产SiC沟槽MOSFET。>
>● 博世>
>博世汽车电子高级副总裁 Ralf Bornefeld表示,十多年前,他们就将目光投向了具有>垂直架构>的SiC沟槽MOSFET,开发了一种称为博世工艺的高纵横比等>离子蚀刻工艺>,以在晶圆上形成深而陡峭的孔和沟槽。>
>● 日立>
>2021年4月,日立发布了一款号称“>业界最节能>”的TED-MOS沟槽结构的SiC MOSFET 。>
>● 西安交通大学>
>2021年12月,我国>国产>SiC MOSFET技术获得>新突破>——沟道迁移率提升近>200%>。西安交通大学联合西安电子科技大学的共同研究成果>,>不仅实现了高质量的SiO2/SiC界面、高的沟道迁移率和介电可靠性,更令人鼓舞的是,他们所提出的高效低温退火工艺与标准SiC MOSFET 制造工艺兼容,为制备高性能SiC MOSFET器件提供了新的有效方法,方便用于>商用器件>的制备。>
>● 日本京都大学>
>2021年10月,日本京都大学官网宣布,他们成功开发一款沟槽型SiC MOSFET原型,通过独特的方法降低SiC的缺陷,晶体管性能提高了>6倍>以上。>
>由于沟道迁移率提高了>6至80倍>,因此600 V SiC-MOSFET的沟道电阻仅为现有产品的1/6以下。当与其他电阻元件结合时,整个SiC MOSFET的导通电阻可以降低一半左右,因此在额定电流相同的情况下,芯片尺寸可以减半,这将降低约>60%>的成本。>
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