据etnews报道，东部高科DB HiTek 将在位于忠清北道阴城郡甘谷面 Sanguri （sanguri, Gamgok-myeon, Eumseong-gun, Chungcheongbuk-do.）的 8 英寸半导体工厂 (fab) 建设下一代功率半导体生产线，他们的目标是在 2025 年内生产和供应第一款 1200 伏 (V) 碳化硅 (SiC) MOSFET。sik Choi 表示：“东部高科将在阴城相宇工厂开始生产 SiC 8 英寸功率半导体。” 他补充说：“我们将向全球汽车制造商供应 1200V SiC 半导体产品。”

目前，该公司正在测试和生产6英寸功率半导体，并与釜山科技园合作评估产品性能，公司还入选了产业通商资源部的8英寸SiC MOSFET量产基地建设项目。崔副会长强调“生产进度可能会提前”。他强调，“我们正在积累生产6英寸功率半导体的技术能力。”

DB HiTek 是韩国最大的 8 英寸晶圆制造商。它正在京畿道富川工厂和忠清北道上宇工厂生产 8 英寸硅基半导体芯片。现在，东部高科为客户生产其设计的功率半导体、模拟、图像传感器和显示驱动IC（DDI）。总产能为138,000片，其中富川工厂每月80,000张，Eumseong 工厂每月58,000张。预计将利用Sangwoo工厂的闲置空间构建下一代SiC半导体基础设施。

1200V MOSFET是一种功率半导体。应用于家电、航空、能源等各行各业。尤其是在电动汽车市场，对 SiC 半导体的需求正在迅速增加，因此备受关注。Wolfspeed、Two-Six、ON Semiconductor等全球功率半导体公司都在准备生产8英寸产品。Yes Power Technix、Power Cube Semi、KEC等韩国功率半导体企业也在推进6英寸及更大产品的生产。