8月30日，瑞萨电子宣布，开始供应电动汽车用功率半导体新产品的样品——硅基IGBT，用于负责纯电动汽车马达控制的逆变器。新一代IGBT的功率损耗比上一代产品减少10%，尺寸也减小了10%。

与当前一代AE4产品相比，用于IGBT的硅基AE5工艺可将功率损耗降低10%，这一节能技术将有助于 EV开发人员节省电池电量并增加行驶里程。新产品在保持高稳健性的同时，体积也缩小了约10%。这款全新瑞萨器件通过在低功率损耗和高稳健性的权衡中取得最佳平衡，实现了IGBT行业领先的性能水平。这款IGBT最大限度地减少IGBT间的参数变化，并在IGBT并联运行时带来稳定性，从而显著改善模块的性能与安全性。这些特性为工程师提供了更大灵活性，帮助其设计出能够获得高性能的小型逆变器。

瑞萨电子表示，新款IGBT将从2023年上半年开始在茨城县那珂工厂量产，从2024年上半年开始在山梨县甲府工厂生产。该工厂将成为功率半导体专用生产基地。

为了提高了效率，瑞萨电子采用小型芯片，同时还降低了每种元件的偏差等，有利于提高逆变器性能和小型化。

新款IGBT将与瑞萨的其他半导体和软件搭配提供。除了与该公司关系深厚的欧洲及日本车载部件厂商外，还将满足存在感日益增强的中国等新兴厂商的需求。

关于IGBT产品的销售结构，瑞萨电子表示，“现在国外占50％左右，希望用3～4年提高到7成左右”。