截至目前， 丰田、现代和吉利 等多家车企的主驱都已采用沟槽栅SiC MOSFET，其供应商包括 电装、英飞凌、博世和罗姆 等。

中国方面，多家公司也将沟槽SiC MOSFET作为技术开发重点，甚至已有一家 国内企业 已经量产了 沟槽SiC MOSFET ，其成本相比平面SiC MOSFET可 降低40% 。目前该产品正在进行 上车验证 ，预计 明年 即将在国内的 自有晶圆厂 完成流片。

沟槽SiC MOS频频上车 丰田、现代、吉利均采用

2022年，SiC MOSFET继续上车。据公开报道不完全统计，今年1-7月，全球新增了 多款SiC车型 ，包括：丰田旗下的雷克萨斯RZ、现代旗下IONIQ6、吉利旗下的Smart精灵#1 以及蔚来旗下的ES7等。

有趣的是，除了蔚来外，上述车型都采用了 沟槽栅SiC MOSFET 供应商，包括 电装、博世、英飞凌、罗姆。

2022年沟槽栅SiC MOSFET“上车”概况

相对而言， 平面栅SiC MOSFET 工艺复杂度没那么高，而且开发历史比较长，国内外相关产品较早实现量产，并且在 特拉斯、比亚迪 等众多车企带动下，平面栅SiC MOSFET功率模块自2018年就进入了主驱逆变器。

反观沟槽栅SiC MOSFET的发展则较为缓慢，主要受限于工艺水平和栅氧可靠性等问题，比如栅极沟槽底部电场集中，通常会引发 长期可靠性 问题。

两种SiC MOSFET的对比来源：英飞凌

尽管如此，国内外依旧有众多的企业和机构在研发沟槽栅 SiC MOSFET，因为这种结构理论上，可以最大限度地发挥SiC材料的特性，尤其是可以进一步 降低器件成本和导通电阻 。

碳化硅在轨道交通、新能源汽车、光伏发电、航空航天等领域具有广阔前景，但行业人士透露，目前碳化硅器件的价格仍然是硅器件的 4倍左右 ，因此仅在一些对体积和效率要求比较高的场景，SiC MOSFET的渗透率会快一些，所以亟需降低成本以加速打入更多应用场景。

碳化硅有助于实现系统微型化

从理论上来看，平面栅 SiC MOSFET的沟道迁移率低，相较之下，沟槽栅SiC MOSFET则呈现出更佳的电学特性，其优势包括： 元胞密度高 、 导通损耗低 、 开关性能强 等。

据罗姆集团数据，与他们的第2代平面栅SiC MOSFET相比，其第三代双沟槽SiC MOSFET的导通电阻降低 约50% ，输入电容降低 约35% 。同时芯片的间距尺寸也更小，单片晶圆的芯片数量就更多，因此单颗器件的成本具备进一步扩展的潜力。

沟槽栅SiC MOSFET可降低电阻（粉色方框）

为此，罗姆外、英飞凌、博世、电装等众多国内外企业都在开发沟槽栅产品，且多家企业的产品已经成功 量产 ，意法半导体、安森美等企业也在布局开发自己的沟槽栅SiC MOSFET。

沟槽栅SiC MOSFET代表厂商

从今年上车的情况来看，博世、英飞凌和罗姆等企业似乎已经针对沟槽栅SiC MOSFET的可靠性课题，找到了缓和栅极沟槽底部的 电场集中问题 的技术和工艺，来确保产品 长期可靠性 。

安海半导体沟槽SiC MOS量产 成本可降低40%

设计、制造 高性能 的沟槽栅SiC MOSFET也是我国SiC功率器件发展的当务之急，部分企业、事业单位已经将研究的重心转移至沟槽栅SiC MOSFET，比如 杭州电子科技大学、香港科技大学 等。

此外，安海半导体——早在2018年就启动 SiC MOS 的项目研发，分别于2019年、2020年研发成功第一代平面SiC MOS和第二代平面SiC MOS，并已成功量产，其中 1200V产品 在国内标杆主机厂率先获得大规模 上车出货 。

值得注意的是，安海半导体还在2022年初成功研发出 第一代沟槽栅SiC MOS ，单芯片内阻达到新能源主驱应用级别： 1200V 15mΩ的SiC MOSFET ，芯片面积相较目前国外知名品牌同规格的SiC MOS都要小（单芯片面积小于20mm²），目前已实现量产，正在上车验证中。

目前安海 第二代 沟槽栅SiC MOS也正在抓紧研发中，有望于 2023年初 在国内自有晶圆厂完成流片，将实现比第一代沟槽栅 更小 的芯片面积， 更高 的电流密度。安海同期联合国内衬底材料公司以实现材料、设计、工艺、生产制造全产业链的国产自主可控。