韩联社首尔4月4日电 韩国芯片巨头SK海力士将投资38.7亿美元在美国印第安纳州建立下一代高带宽内存（HBM）生产基地，并计划于2028年下半年开始量产。
SK海力士4日表示，公司将在美国印第安纳州西拉斐特兴建人工智能（AI）芯片先进封装生产基地，并与普渡大学等当地研究机构开展半导体研发合作。半导体制造商在美国开建AI芯片先进封装厂尚属首次。
SK海力士3日（当地时间）在位于西拉斐特的普渡大学与印第安纳州政府、普渡大学、美国中央政府官员等共同举行投资签约仪式，并正式发布建厂计划。预计SK海力士将从2028年下半年起量产下一代HBM等AI芯片。
SK海力士HBM3E SK海力士供图（图片严禁转载复制）
目前，SK海力士的全球HBM市占率居首，事实上向芯片巨头英伟达独家供应第四代HBM——HBM3，并从上月末开始向客户提供第五代产品HBM3E。
据悉，SK海力士已向美国政府提交半导体生产补贴申请书。根据美政府于2022年制定的《芯片与科学法》，在美国境内建立半导体工厂的企业将获得为期五年共计527亿美元的补贴，其中包括390亿美元的生产补贴和132亿美元的研发补贴。
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