近日，据青禾晶元官微透露，通过技术创新，青禾晶元在SiC键合衬底的研发上取得了重要进展——在国内率先成功制备了8英寸SiC键合衬底，进一步巩固了青禾晶元在该领域的引领地位，有望加速8英寸SiC衬底量产进程，为产业界客户提供更具竞争力的价格。

■ 青禾晶元8寸N型SiC复合衬底

据青禾晶元透露，对比6英寸SiC晶圆，8英寸SiC晶圆可用面积几乎增加一倍，芯片产出可增加80-90％，SiC晶圆升级到8英寸将会给汽车和工业客户带来重大收益。因此，SiC晶圆走向8英寸是业界公认的发展趋势。

然而，SiC长晶受限于生长良率低、周期长等瓶颈导致成本无法有效降低。通过先进SiC键合衬底技术可以将高、低质量SiC衬底进行键合集成，有效利用低质量长晶衬底，与长晶技术一同推进SiC材料成本显著降低。

青禾晶元成立于2020年7月，公司聚焦于新型半导体材料与装备的研发生产制造，是国内领先的晶圆异质集成技术与方案的提供商，专注于面向第三代半导体、三维集成、先进封装、功率模块集成等应用领域。

去年5月，青禾晶元天津新型键合集成衬底量产示范线宣布正式通线，规划产能3万片/年，未来计划达到15万片，满产后预计单条产线营收过亿元。量产示范线通线，标志着青禾晶元先进半导体键合集成衬底产品具备了大规模量产的基础。据悉，该产线衬底尺寸目前以6英寸为主，未来会转到8英寸。

截至目前，青禾晶元已经完成晶圆键合设备、Chiplet设备及功率模块键合设备等多款设备的开发及量产；SiC、POI等键合集成衬底材料规模化量产。

融资方面，青禾晶元去年也宣布完成了共计2.2亿元的A++轮融资，投资方包括北京集成电路尖端芯片基金、阳光电源、智科产投、建信、沃赋资本、正为资本、海南瑞莱、俱成投资和天津天创。

据悉，该轮融资将被用于建设键合集成衬底量产线，扩大生产规模，开展多款设备规模化量产以及应用场景拓展。