近日，据AIXTRON爱思强官网消息，Vishay选择AIXTRON爱思强的G10-SiC外延生产平台，以满足公司内部功率器件制造的SiC外延需求。

Vishay公司SiC开发高级研发总监Danilo Crippa表示，新型G10-SiC外延生产设备为200mm外延提供了领先的成本结构，符合Vishay的生产率目标。再加上200mm晶圆上出色的均匀性表现，使Vishay选择了AIXTRON爱思强技术。

01.

G10-SiC 200mm外延设备“很吃香”

2022年9月，AIXTRON爱思强在瑞士达沃斯举行的国际碳化硅及相关材料会议（ICSCRM）上推出全新的G10-SiC 200mm外延设备。

G10-SiC 系统建立在AIXTRON爱思强成熟的 G5 WW C 150 mm 平台之上，具有灵活的9x150mm和6x200mm双晶圆尺寸配置，支持晶圆直径之间的转换。

AIXTRON爱思强团队开发出一种独特的解决方案，可以最严格地控制 200mm SiC 晶圆上的掺杂水平和均匀性。在整个6x200mm晶圆批次中都能保持这种性能，并且具有令人印象深刻的运行稳定性。

而在不久前，AIXTRON爱思强也透露，Wolfspeed已于2023年第三季度和第四季度订购多台设备，利用AIXTRON爱思强的G10-SiC帮助进一步提升200mm（8英寸）碳化硅（SiC）外延晶片的产能，以支持Wolfspeed达勒姆总部和“John Palmour 碳化硅制造中心”的大批量生产需求。

02.

“技术+产能”双向加持，Vishay加速进军SiC

值得注意的是，AIXTRON爱思强G10-SiC外延生产平台将交付给Vishay位于南威尔士的汽车认证纽波特工厂。

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件制造商之一。这些元件广泛应用于工业、计算机、汽车、消费电子、电信、航空航天、电源和医疗市场的各类电子设备和装置中。

今年3月，Vishay 宣布完成对 Nexperia 位于英国南威尔士纽波特的晶圆制造设施和业务的收购，收购现金净额约为 1.77 亿美元。

据悉，纽波特晶圆厂是英国最大的半导体晶圆厂，占地 28 英亩，是一家经过汽车级认证的 200mm半导体晶圆厂，每月产能超过 30,000 片晶圆。

此外，作为南威尔士化合物半导体集群的新成员，Vishay计划与当地大学和英国其他机构合作，加强其在功率化合物半导体方面的研发工作。

Vishay一直在加速推进SiC生产计划，一方面，Vishay针对增量产能进行投资与推进；另一方面，Vishay在技术方面有所投资。

2022年，Vishay以5000万美元收购了位于加利福尼亚州圣何塞的SiC MOSFET供应商MaxPower Semiconductor。

资料显示，MaxPower 拥有超过 100 项专利的 IP 组合，将被纳入 Vishay 的 MOSFET 部门。该公司拥有用于硅和 SiC MOSFET 的专有器件结构和工艺技术，包括面向汽车和工业应用的 650V 至 1,700V 的沟槽和平面技术。

同时，Vishay自身也在开发SiC产品，加上对MaxPower收购，Vishay在功率半导体市场，特别是在SiC市场的布局将更为完善。

Vishay对MaxPower、纽波特晶圆厂的收购，是“技术+产能”的双向加持。基于此，Vishay则拥有晶圆厂能够验证和扩展他们SiC产品组合，以进一步加速进入该市场。

SiC产品方面，在APEC 2024上，Vishay 最新发布了 1200 V MaxSiC™ 系列碳化硅 (SiC) MOSFET。该产品采用标准封装，提供 40、80 和 250 mΩ 的导通电阻，适用于工业应用，也可提供定制产品。

此外，Vishay 还将提供导通电阻范围为 12 mΩ 至 1 Ω 的 650 V 至 1700 V SiC MOSFET 路线图。

Vishay 的 SiC 平台正式基于收购的 MaxPower公司的专有 MOSFET 技术，将满足牵引逆变器、光伏储能、车载充电器和充电站应用的市场需求。

值得一提的是，Vishay还透露了MaxSiC 平台即将发布的产品，包括 AEC-Q101 车规级产品。