据投中资本官微消息，近期，南京百识电子科技有限公司（以下简称“百识电子”）宣布正式具备国产8英寸碳化硅外延晶片量产能力。

百识电子所生产的8英寸碳化硅外延晶片的质量达到国际先进水平，即厚度不均匀性小于1.5%，浓度不均匀性小于4%，3mm*3mm管芯良率达到99%以上。该技术突破标志着百识电子8英寸碳化硅外延技术储备成熟，进一步推进了碳化硅外延材料的国产化进程。

百识电子成立于2019年，由多名拥有数十年第三代半导体外延经验的资深专家联合创办，核心团队具备外延工艺开发、良率保障、设备改良等全栈能力。

产能方面，百识电子首条产线位于南京市浦口区，于2021年投产，当前年产能达5万片，客户多为全球巨头及国内龙头。此外，百识电子计划近期在长三角落地二期产线，产能规划28万片/年，打造全国最领先的车规级三代半外延片制造工厂。目前百识电子已在全部产品技术指标上达到世界领先水平。

融资方面，2022年3月，百识电宣布超募完成A轮融资，融资总额过3亿元人民币。本轮融资由杭实资管领投，毅达资本、华映资本、阿晨科技、科泓投资、涌铧投资、GRC富华资本、福熙投资等知名投资方跟投，老股东亚昌投资、金浦投资继续加码。融资主要将用于扩产及生产设备购入。此外，今年3月，百识电子完成A+轮融资，多家知名机构参投。

百识电子凭借团队雄厚量产经验及高质量制造能力，提供六英寸及八英寸外延片, 以满足新时代功率器件市场需求。除标准规格外延片，百识电子可针对特殊应用市场需求，提供客制化规格外延服务及器件开发所需的关键制程。

碳化硅外延层的厚度、浓度与表面缺陷的数量会影响器件电气特性，导致碳化硅器件良率有所损失。目前一般外延技术只能控制表面尺寸较大(如三角缺陷、胡萝卜缺陷，直线缺陷与彗星缺陷等)的致命(killer)缺陷，密度大约1/cm2，表面微坑洞(micro-pits)的数量高达每片5,000颗以上。

百识电子以独有的外延技术可将表面缺陷数量有效控制在密度小于0.4/cm2以下，表面微坑洞(micro-pits)< 1,000个/wafer，同时具备有较低的致命缺陷与表面微坑洞的优势。2023年百识外延工艺和技术水平持续精进，3,300V碳化硅外延片实现高良率高质量生产，产品厚度均匀性1.18%，浓度均匀性1.32%，并稳定出货全球轨交头部客户。超高耐压（6,500V及以上）外延技术持续突破，缺陷控制已达国际先进水平。

本文来源：投中资本、百识电子