【展商推介】纳芯微电子诚邀您参加2024第四届全球xEV电驱动技术暨产业大会

NE时代新能源更新于 2024-05-14 08:57:53

“2024第四届全球xEV驱动系统技术暨产业大会”将于2024年6月18-20日在上海嘉定喜来登召开。大会以”直面淘汰赛，寻找增长点“为主题。

市场端聚焦：在极卷的业态下中国新能源整车及零部件企业在面对残酷的淘汰赛下如何直面应对？新增长点又在哪？

技术端聚焦：电机创新技术及降本方案、新EE架构下的电控创新技术及降本方案，以及功率半导体的创新技术及降本方案。

2024xEV电驱动大会

苏州纳芯微电子股份有限公司

展位号：A28

01.

公司介绍

纳芯微电子（简称纳芯微，科创板股票代码 688052）是高性能高可靠性模拟及混合信号芯片公司。自2013年成立以来，公司聚焦传感器、信号链、电源管理三大方向，为汽车、工业、信息通讯及消费电子等领域提供丰富的半导体产品及解决方案。

纳芯微以『“感知”“驱动”未来，共建绿色、智能、互联互通的“芯”世界』为使命，致力于为数字世界和现实世界的连接提供芯片级解决方案。

02.

核心产品介绍

集成DESAT保护的智能隔离式栅极驱动器

NSI6611

纳芯微集成DESAT保护的智能隔离式单通道栅极驱动器NSI6611可用于驱动IGBT，Si MOSFET和SiC MOSFET等功率晶体管，并为其提供保护，使其安全运行。NSI6611可提供分离输出，分别控制上升和下降时间，且支持轨到轨输出，并可以提供最大10A/10A的拉灌电流能力。此外，该系列产品还可以提供多种的保护功能，如UVLO、米勒钳位、DESAT保护、软关断功能，且当发生短路故障或欠压发生时，通过单独的引脚报告。NSI6611支持ASC功能，可用于在紧急情况下强制输出为高。它支持最小150kV/μs的共模瞬变抗扰度(CMTI)，提高系统鲁棒性。驱动器侧最大耐压为35V，而输入侧则接受3V至5.5V的电源电压。NSI6611驱动电流大，电源电压范围宽，CMTI高，且具有出色的保护功能，适用于高可靠性、高功率密度和高效率的汽车主逆变器、开关电源系统、逆变器等系统。

第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器

NSI6602V

NSI6602V是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器，在第一代产品的基础上增强了其抗干扰能力和驱动能力，且功耗更低，同时提高了其输入侧的耐压能力。该系列产品能够驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管，每个通道输出可以以快速的25ns传播延迟和5ns的最大延迟匹配来提供最大6A/8A的拉灌电流能力。typical 150kV/μs的共模瞬变抗扰度(CMTI)提高了系统的鲁棒性。该系列产品最大耐压为30V，而输入侧则接受3V至18V的电源供电电压。所有电源电压引脚均支持欠压锁定(UVLO)保护，同时有多个欠压点可供选择，最低欠压点支持4V，可用于驱动GaN功率器件。它还有多个封装可供选择，最小封装是4*4mm LGA封装，可用于对体积要求高的场景。NSI6602V在5*5mm LGA13封装中按照UL1577提供2500Vrms隔离，在SOP16封装中提供3000Vrms隔离，在SOW16和SOW14封装中提供5700Vrms隔离。

1200V系列SiC MOSFET

NPC060N120A

纳芯微1200V首款SiC MOSFET 产品NPC060N120A系列具备60mΩ RDSon温度稳定性，栅极驱动电压范围覆盖-8~22V，具备高可靠性，非常适用于电动汽车(EV) OBC/DCDC、热管理系统、光伏和储能系统(ESS)以及不间断电源(UPS)等领域。纳芯微碳化硅芯片生产过程中施行严格的质量控制，所有碳化硅产品做到 100% 静态电参数测试，100%抗雪崩能力测试；此外，还会执行比AEC-Q101更加严格的测试条件来执行产品可靠性验证。