现阶段碳化硅功率模块在很大程度上沿用了传统硅基IGBT的HPD封装结构，但其较高的损耗和结温一直困扰着工程师们。为了充分发挥碳化硅的优势，开始开发专用功率模块封装技术，DCM就是其中重要的一种。
当前包括赛米控丹佛斯、悉智科技、斯达半导体、汇川等企业都推出了DCM的碳化硅功率模块产品。其中悉智科技作为新进碳化硅功率模块企业，近年来取得了快速发展，目前已经大规模量产并交付了碳化硅DCM功率模块产品。就在前段时间，总交付量已经突破了1万颗。
为了说明各模块企业DCM产品之间的差异，NE时代本次拆解了赛米控丹佛斯和悉智科技两款碳化硅DCM功率模块产品，参数同为1200V，650A，碳化硅芯片数量同样为8并。
左：悉智科技右：赛米控丹佛斯
01.
外观差异
两者外观高度一致，不管是外形尺寸还是端子的尺寸，几乎相同，唯一的区别在于背面冷却水道的设计。悉智科技采用的椭圆Pin-Fin，赛米控丹佛斯采用的其特有的SP3D（Shower power 3D）。
左：悉智科技右：赛米控丹佛斯
02.
内部差异
本次NE时代针对DCM碳化硅模块内部进行了部分拆解，可以看出两者在芯片的分布以及芯片的连接方面都有着较大的差异。悉智科技采用的是铜夹的连接方式，而赛米控丹佛斯采用的是DTS（Die Top System）的连接方式。
左：悉智科技右：赛米控丹佛斯
03.
悉智科技技术亮点
通过交流沟通，悉智科技在功率模块散热和电气化测试方面有着独特的见解。
散热能力方面，得益于悉智科技功率模块产品中芯片的均匀分布和冷却方式，悉智科技在芯片发热量和发热一致性方面表现较好。
具体数据，在550A的直流电流输入下，悉智科技DCM功率模块中芯片的最大发热量是146度，然后最小发热量是129度，差值最大为17度。
电气化性能方面，为了提升产品的可靠性。悉智科技在静态测试、动态测试以及短路测试等常规的电气化性能测试方面，额外增加了用于测试芯片内部串扰的测试环节。
这是因为对比于IGBT，碳化硅的开关速度更快，并且负压更接近于0V，也就意味着更容易受到寄生导通的影响，造成高低边短时直通。而常规测试更多是基于功率模块本身，而忽略内部芯片互联的影响。而模块内部的串扰正是造成寄生导通的主要原因之一。
图片来源：悉智科技
在具体的测试过程中，悉智科技在高、低边各增加了芯片的开尔文测试点，可以更加精准的采集非工作管栅极的电压信号，一旦发现有明显的串扰现象，将会指导开发团队进行优化设计。
图片来源：悉智科技
随着电动汽车和新能源产业的快速发展，碳化硅功率模块的需求也将持续增长。各企业也在不断追求产品通用化的同时，努力进行技术差异化，以实现产品性能的提升。
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