◎国轩高科将发布六大硬核新品
◎红旗E702项目平台车首车于研发总院成功试制下线
◎联合电子发布深度集成同轴多合一电桥
◎ 闻泰科技半导体业务推出车规级1200 V SiC MOSFET01. 国轩高科将发布六大硬核新品
国轩高科2025全球科技大会将于5月16日至17日在安徽合肥国轩高科包河总部隆重举行。本届大会以“这一跃 向世界”为主题，将邀请海内外百余位行业专家、高校学者及产业界代表交流共享能源科技新智慧。
其中，5月17日上午，国轩高科将向全球发布六款新品，涉及乘用车电池、重卡电池、储能电池系统及数智化解决方案等领域。
第一款新品是一款高安全长续航的全新电芯，主打安全和稳定量产。第二款新品是一款全面升级的全新二代电池产品，从宣传语“高歌锰进，绿动未来”来看，这是一款高锰产品。第三款新品是专为重卡而生的大电量电池标准箱。第四款新品是超大储能系统。第五款新品是面向工业4.0的锂电产线一站式数智化解决方案。最后一款新品，国轩高科并未透露其应用场景，而是称其为一款超越期待的前瞻电池产品。
02. 红旗E702项目平台车首车于研发总院成功试制下线
近日，红旗品牌9系产品线重点车型E702项目平台车首车于研发总院试制部成功下线！仅用15天便完成首车装配下线；得益于台架测试团队前期扎实的准备工作，首车装配下线后24小时内即成功实现高压上电和发动机点火。
03.联合电子发布深度集成同轴多合一电桥
联合电子研发的全新一代的深度集成同轴多合一电桥产品。该产品深度集成联合电子X pin电机、行星排减速箱、小型化逆变器、GaN CharCON、PDU、VCU，具有小尺寸、低重量、高功率密度、高集成度的显著优势。
控制器采用了侧面平铺布置，降低Z向高度，为整车释放更多座舱和后备箱空间；
采用油冷创新的油道布置，实现全主动冷却和润滑，释放电桥持续性能；
采用镁合金壳体材料、行星排减速器，实现电桥的极致轻量化；
行星排采用高重合度设计，在满足小尺寸、轻重量的同时，改善NVH性能。
通过创新的电驱软件控制算法，突破新能源汽车传统性能边界，引入主动防抖控制、过零控制、主动防滑控制、抛负载控制、跛行控制、超限控制等创新功能，在不增加整车硬件成本的前提下，为新能源汽车带来全面的性能提升和更好的驾乘体验。
从融合趋势来看，市场在朝着更广和更深的集成方向演进，包括VCU, TMC, BMS, EVCC, PTC, eAC等动力域集中式融合，甚至于跨动力域的跨域融合。结合联合电子在这些子领域丰富的研发和批产经验，在集成范围方面，形成6(大、小三电)+1(VCU)+X(TMC, BMS, EVCC…)的One μC集成策略，灵活适配不同场景不同范围的集成需求。
04. 闻泰科技半导体业务推出车规级1200 V SiC MOSFET
闻泰科技半导体业务近期推出D2PAK-7封装车规级1200V SiC MOSFET，为电动汽车行业注入强劲新动能。
在新能源汽车中，SiC MOSFET的性能至关重要，其中导通电阻RDS（on）作为关键参数，直接影响传导损耗。此次推出器件的RDS（on）分别为30、40和60 mΩ，凭借创新工艺技术，闻泰科技半导体业务实现了业界领先的RDS（on）温度稳定性——在25°C至175°C范围内，RDS（on）标称值仅增加38%，显著优于市场同类产品。
这一技术突破不仅保障了汽车性能稳定，还实现了更高的功率输出。与其他供应商相比，搭载该技术的SiC MOSFET器件能在相同RDS（on）下释放更多功率，具备显著成本优势。此外，公司还表示：今年将计划陆续推出17 mΩ和80 mΩ RDS（on）的车规级SiC MOSFET。虽然现阶段SiC产品在公司业务中占比尚小，但产品的不断扩充，体现了公司坚守研发承诺，促进技术发展的决心。
凭借过硬实力，闻泰科技于2024年5月推出的1200V SiC MOSFET荣获“2024年度全球电子成就奖—年度功率半导体产品奖”，彰显公司在全球功率半导体市场的领先地位。
在产能布局方面，公司在2024年6月宣布了约2亿美金的8英寸SiC器件产线投资，目前部分设备已进场，预计在未来几年内建成投产。
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