NE时代

科友在晶片加工端再传捷报——12英寸导电型与半绝缘碳化硅晶片加工双双取得重大突破！标志着公司已打通从晶体生长到晶片加工的大尺寸全链条核心技术，为12英寸碳化硅衬底的规模化量产奠定了坚实工艺基础。从晶体到晶片，从尺寸突破到精度跃升，科友再次用实力定义行业标杆。

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工艺创新：四大核心技术赋能大尺寸精密加工

大尺寸晶片的加工，绝非小尺寸的简单放大。面对12英寸碳化硅材料硬度高、脆性大、加工难度呈指数级上升的行业难题，科友研发团队通过系统性创新，交出了一份亮眼答卷。

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设备兼容性突破：实现“零改装”升级

在同等主机中心距下，科友通过精密的结构设计与优化，成功实现晶圆加工尺寸从8英寸到12英寸的“零改装”升级。这一创新极大降低了客户产线升级的门槛与成本，为12英寸碳化硅衬底的规模化推广铺平了道路。

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大直径薄壁游星轮高刚性结构设计

针对12英寸加工中承载系统的刚性与重量矛盾，科友团队引入拓扑优化技术，在确保轻量化的同时实现高强度平衡。优化后的游星轮结构既满足大尺寸晶片稳定传输需求，又有效降低了运动惯量对加工精度的不利影响。

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非标准渐开线齿形优化

通过对渐开线齿形进行非标优化设计，科友成功降低啮合冲击，显著提升运行平稳性。这一创新尤其适用于大尺寸、低速、高扭矩的碳化硅加工工况，为高精度加工提供了可靠保障。

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数字孪生仿真验证

在物理验证之前，科友团队率先建立虚拟加工模型，通过数字孪生技术对加工全过程进行仿真验证。这一创新方法大幅缩短了研发周期，有效降低了试错成本，展现了科友在智能制造与工艺仿真领域的前瞻布局。

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工艺指标：

核心参数达到行业领先水平

工艺创新的最终落脚点，是实打实的加工精度。本次突破中，科友12英寸碳化硅晶片加工取得了一系列关键指标的重大进展：

总厚度偏差TTV ≤ 1.0μm：实现了大尺寸晶片厚度一致性的精准控制；

局部平坦度LTV ≤ 0.5μm：确保了晶片局部区域的平整度达到纳米级要求；

表面粗糙度Ra ≤ 0.2nm：达到了原子级表面质量，为后续外延生长提供理想基底。

这一系列指标，标志着科友在12英寸碳化硅晶片加工精度上已迈入国际先进行列，为高端功率器件与射频器件的制造提供了可靠的材料保障。

从12英寸晶体的“双覆盖”，到12英寸晶片加工的“双突破”，科友半导体正一步一个脚印，将大尺寸碳化硅的技术蓝图变为产业现实。

结语

面向未来，科友将继续坚持“装备自研+工艺自主”的发展路径，以持续创新驱动第三代半导体材料降本增效，为全球客户提供更优质的大尺寸碳化硅衬底产品，让中国“芯”光，照亮更广阔的未来。