NE时代

由电动汽车电驱动系统全产业链技术创新战略联盟、中国电工技术学会电动车辆专委会主办，NE时代承办的2026第六届全球xEV驱动系统技术暨产业大会将于2026年6月23日-24日在上海隆重举办。

作为中国新能源汽车电驱动领域极具影响力的年度盛会，大会覆盖乘用车、商用车全场景。聚焦电驱动系统、电机技术、功率半导体、系统集成、创新材料、工艺装备、飞行汽车与人形机器人等全产业链热点方向，预计将汇聚1500+位行业专家、车企与Tier1技术决策者、核心供应链企业代表，带来90+场前沿主题报告、多场平行技术论坛与年度颁奖盛典。

截至目前，此次大会吸引了巨力自动化、爱仕特科技、清连科技、科瑞尔、先进连接、赛晶亚太半导体、胜业电气、戈尔、纳芯微电子、华夏磁电子、力森诺科、七星电子、道宜半导体、上海电驱动、上海申克、罗杰斯、臻驱科技、沃尔兴、恩骅力、宏微科技、钧联电子、上海唯析、奥珞贸易、芯联集成、英搏尔、中车电驱、鹰峰电子、博格华纳、方正微电子、厦门宏发、鑫信腾、昕感科技、迈来芯、川土微电子、铜陵精达、赢双电机等优秀企业进行现场先进技术展示。

本期带来纳芯微电子的展商介绍。

2026xEV电驱动大会

纳芯微电子

展位号：A10

01.

公司介绍

纳芯微电子（简称纳芯微，科创板股票代码：688052；香港联交所股票代码：02676.HK）是高性能高可靠性模拟及混合信号芯片公司。自2013年成立以来，公司聚焦传感器、信号链、电源管理三大方向，为汽车、工业、信息通讯及消费电子等领域提供丰富的半导体产品及解决方案。

纳芯微以『“感知”“驱动”未来，共建绿色、智能、互联互通的“芯”世界』为使命，致力于为数字世界和现实世界的连接提供芯片级解决方案。

02.

核心产品介绍

NSI6911F

NSI6911F是一款单通道隔离栅极驱动器，适用于多种应用场景下的 IGBT、功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 驱动。该器件具备 19A 的拉电流与灌电流峰值能力。高达 150kV/μs 的最小共模瞬态抗扰度 (CMTI) 为系统鲁棒性提供了强力支撑。

NSI6911F集成了关键的保护特性，包括米勒钳位、去饱和保护 (DESAT)、欠压锁定 (UVLO) 以及软关断功能。UVLO 状态和短路故障通过独立的引脚进行报告。原边与副边均具备主动短路 (ASC) 功能，旨在紧急情况下通过内部或外部指令强制输出导通，从而支持系统的故障管理。

凭借强大的驱动电流、宽供电电压范围以及卓越的保护特性，NSI6911F非常适用于高可靠性、高功率密度和高效率的开关电源系统。优异的系统级 EMC 性能进一步提升了产品使用的可靠性与稳定性。

NSI6770

NSI6770 是一款智能隔离式单通道栅极驱动器，专为驱动IGBT、功率MOSFET 和SiC MOSFET 等功率晶体管而设计，提供卓越的保护功能以确保安全运行。它可提供分离输出，分别控制上升和下降时间，且支持轨到轨输出，并提供最大10A/10A 的拉灌电流能力。NSI6770 集成了全面的保护功能，包括欠压保护（UVLO）、米勒钳位（Miller Clamp）、DESAT 保护和软关断，并能通过独立引脚报告短路或欠压故障。

NSI6770 集成隔离采样功能，支持NTC 或母线电压采样，进一步提升了驱动器的集成度，简化系统设计，减少系统尺寸和成本。它具有至少150kV/μs 的共模瞬变抗扰度（CMTI），增强了系统的鲁棒性。驱动器侧的最大耐压为36V，输入侧支持3V 至5.5V 的电源电压。NSI6770 以其高驱动电流、宽电源电压范围、高CMTI 和优异的保护功能，适用于高可靠性、高功率密度和高效率的开关电源系统、逆变器等应用。

NSD1624

NSD1624是一款高压半桥栅极驱动器，能提供最大4A/6A的拉灌电流能力，驱动MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可应用于高达1200V母线电压系统。它拥有行业内领先的超低传播延迟，低静态电流，耐负压能力强、高dv/dt抗扰度等特性。

该器件可接受的供电电源输入范围宽达 10V 至 20V，并且为 VDD 和 BST 供电电源引脚提供了 UVLO 保护。 NSD1624可提供大小封装，LGA10、 SOP8、SOP14 封装，额定工作温度范围为 –40°C 至 125°C。NSD1624具有所有这些出色的功能,适用于高可靠性,功率密度和效率的开关电源系统。

03.

2026xEV电驱动大会议程

04.

参展企业一栏