据36 氪消息，中锃半导体（深圳）有限公司（下称“中锃半导体”）完成数千万元人民币天使轮融资。
据悉，本轮融资由国科京东方、国核曜能、望众投资等共同出资，将主要用于研发平台搭建、原型设备和核心工艺开发、持续吸纳优秀技术人才。
中锃半导体成立于2023年10月，是一家特色工艺半导体制程设备和工艺开发的高科技企业。今年3月，中锃半导体开业典礼暨揭牌启动仪式在河套深港科技创新合作区香港科学园深圳分园顺利举行，正式入驻河套深港科技创新合作区。
在设备研发制造、工艺等方面，中锃半导体已积累了丰富的经验和技术。
未来几年，中锃半导体将联合产业伙伴，潜心研发先进的等离子体干法刻蚀设备和“SiC－Trench－Etch”的工艺解决方案，帮助客户实现工艺的落地、量产和良率提升。并致力于将“等离子体干法刻蚀技术（Plasma Dry Etch）”推广到更为广阔的应用领域。
值得一提的是，中锃半导体目前正全力开发针对碳化硅材料的深刻蚀设备和工艺（Deep SiC Etch），用以支持沟槽栅（Trench-Gate）的实现和更广阔器件设计窗口。
众所周知，目前影响碳化硅走向应用的重大限制之一是成本。
通过沟槽栅（Trench-Gate）技术，碳化硅产品可以缩小芯片的表面积，让单个晶圆能产出更多的芯片。因此，这项技术也成为产业界降成本的主要手段。
而除了成本考量之外，沟槽栅还可以避免寄生Jfet效应带来的额外内阻。比如，国外芯片厂商“英飞凌”就曾通过沟槽，来选择更好晶面来改善栅氧界面和提高器件性能等等。
因此，如何应对碳化硅仅次于金刚石的超高的硬度（莫氏硬度9.5）和材料特性，实现碳化硅深刻蚀（Deep SiC Etch）以高效地实现工艺的具体形貌要求，就成为产业界一个重大的难题。
在国内市场，目前产业界正处于碳化硅深刻蚀实现技术突破和量产的关键阶段，更需要本土的设备厂商提供更多特色工艺的支持，共同实现半导体技术上的“弯道超车”。
中锃半导体创始人兼CEO谭志明介绍，“公司团队在技术和经验上非常全面，涵盖设备、制程工艺甚至器件设计等多个环节，并且确认会同产业生态内的合作伙伴进行联合研发，期望尽早推出卓越的刻蚀设备产品和成熟的工艺解决方案，协助客户解决关键工艺突破问题，提升产品价值。”
展望未来，谭志明表示，“中锃半导体将携手产业生态伙伴和业内高手，以领先的设备和工艺助力中国碳化硅产业发展跑出加速度。并期望依托本土市场的基础，最终走向全球。”
本文来源：
36氪-开发碳化硅材料深刻蚀工艺，「中锃半导体」完成数千万元天使轮融资
深圳新闻网-中锃半导体入驻河套，助力推动深港半导体领域科技合作
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