杰平方半导体始终秉持低调务实的精神，默默耕耘于碳化硅（SiC）功率半导体领域。继成功量产1200V碳化硅系列产品并赢得市场好评之后，公司日前正式推出了第三代（Gen 3）SiC MOSFET系列的最新产品：JPM120010B4AI、JPM120012B4AI和JPM120016B4AI。凭借其卓越的性能和独特优势，这三款新产品将为行业提供更多高品质的选择。
01
产品概要
先进的第三代平面SiC MOSFET
高阻断电压与低导通电阻：1200V 10、12和16mohm
高速开关与低电容
易于并联，易于驱动
100%雪崩测试
更高的系统效率
降低冷却要求
增加功率密度
降低系统成本
02
产品主要参数
⬆JPM120010B4AI主要参数
03
产品优势和特点
1、在晶圆设计上通过优化JFET宽度、源极接触区宽度等关键参数，采用更小的元胞尺寸，结合先进的SiC晶圆减薄技术，显著提高了芯片单位面积的通流能力。
2、工艺上持续优化CSL（电流扩展层）和外延层掺杂浓度、采用更薄的栅极氧化层结合栅氧氮化、沟道自对准等先进工艺，进一步降低导通电阻，在几乎不增加工艺制造成本的同时，带来极低的Ron,sp(比导通电阻率)。
3、SiC MOSFET的通态电阻随温度变化较小，在175℃结温时，导通阻抗仍可以保持在较低水平，该特性可以提升高温系统效率，降低器件选型余量，在较高应用环境温度下仍保持出色性能。
⬆JPM120010B4AIRds温度特性曲线
04
产品主要应用
凭借可靠稳定的产品特性，此次推出的三款新品可广泛应用于：
• 太阳能逆变器
• DC / DC转换器
• 电机驱动
• 开关模式电源/UPS
• 储能系统
• 电动汽车电池充电站
05
拓展SiC功率模块
沪公网安备31010702008139