采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET
英飞凌采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET单管，专为各种工业应用开发，包括工业驱动、电动汽车充电、太阳能，SSCB，人工智能，不间断电源和CAV等。
顶部散热Q-DPAK具有出色的散热性能，更易于组装，从而降低了客户的系统成本。与底部散热解决方案相比，顶部散热器件可实现更优化的PCB布局，从而减少寄生元件和寄生电感的影响。同时还能增强散热能力。
产品型号：
■IMCQ120R026M2H
■IMCQ120R034M2H
■IMCQ120R040M2H
■IMCQ120R053M2H
■IMCQ120R078M2H
产品特点
SMD顶部散热封装
杂散电感低
CoolSiC™ MOSFET 1200V G2技术具有优化的开关性能和FOM因子
.XT扩散焊
最低RDS(on)
封装材料CTI>600
爬电距离>4.8mm
耐湿性
雪崩保护、短路保护和寄生导通PTO保护
应用价值
更高的功率密度
实现自动装配
不需要太复杂的设计
与底部散热封装相比，具有出色的热性能
改善系统功率损耗
电压有效值950V，污染度为2
可靠性高
降低TCO成本或BOM成本
应用领域
电动汽车充电
太阳能
UPS