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GeneSiC™ MOSFET技术为燃料电池和重型运输领域的高压大功率‘多变换器’赋予无与伦比的功率密度
加利福尼亚州托伦斯2025年6月3日讯——纳微半导体今日宣布与法国知名电力电子制造商——Brightloop达成合作：纳微的车规级第三代“快速”碳化硅MOSFET将助力Brightloop打造重型农业运输设备专用的氢燃料电池充电器。
BrightLoop所提供的领先高性能解决方案，功率转换效率超过98%，功率密度高达35kW/kg和6kW/L。BrightLoop高压大功率多变流器与其功率流处理器技术相结合，旨在为交流和直流应用（如燃料电池的能源管理场景、重型应用以及高压网络适配）提供卓越性能。
纳微半导体的车规级第三代快速碳化硅 MOSFET应用于BrightLoop 250kW高压DC-DC变换器中，其最大输出电压可达950VDC, 最大输出电流为480A，可并联以实现兆瓦级功率能力。
凭借着在碳化硅领域的20年技术创新积累，纳微GeneSiC™独家的“沟槽辅助平面栅”技术可提供业界领先的温度特性，为功率需求高、可靠性要求高的应用提供高速、低温升运行的功率转换方案。第三代快速碳化硅MOSFET相较同类产品不仅效率显著提升，外壳温度也低25°C，同时使用寿命长3倍。
“沟槽辅助平面栅”技术使得碳化硅MOSFET的导通电阻（RDS(ON)）几乎不随温升影响，从而在整个工作范围内实现最低的功率损耗。与竞争对手相比，该技术在高温的实际工况下的导通电阻低接近20%。所有GeneSiC™碳化硅MOSFET均具备已公布的最高100%测试雪崩能力、出色的短路耐受能力及紧凑的阈值电压分布，便于并联应用。
沪公网安备31010702008139