纳微半导体7月2日宣布与力积电（Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation, PSMC）建立战略合作伙伴关系，正式启动并持续推进业内领先的8英寸硅基氮化镓技术生产。
纳微半导体预计将使用位于台湾苗栗竹南科学园区的力积电8B厂的8英寸产线。该工厂自2019年起投入运营，支持从微型LED到射频氮化镓器件等多种高产能氮化镓制造流程。
力积电具备先进的180nm CMOS工艺能力，运用更小、更先进的工艺节点，从而在性能、能效、集成度以及成本方面实现全面优化。
纳微宽禁带技术平台高级副总裁 Sid Sundaresan 博士表示：“在180nm工艺节点上进行8英寸硅基氮化镓的生产，使我们能够持续创新，实现更高功率密度、更快速度和更高效率的器件，同时提升成本控制、规模化能力和制造良率。”
力积电将为纳微半导体生产100V至650V的氮化镓产品组合，以满足48V基础设施（包括超大规模 AI 数据中心和电动汽车）对氮化镓日益增长的需求。首批器件预计于2025年第四季度完成认证。其中，100V系列计划于 2026 年上半年在力积电率先投产，而650V器件将在未来12-24个月内从纳微现有的供应商台积电逐步转由力积电代工。
纳微近期在AI数据中心、电动汽车和太阳能市场接连取得多项进展，包括旗下的氮化镓与碳化硅技术投入研发，助力NVIDIA800V HVDC架构，应用于1兆瓦以上IT机架。全球领先的太阳能能源解决方案公司Enphase也已宣布其下一代IQ9产品将采用纳微的650V双向GaNFast氮化镓功率芯片。同时，纳微大功率GaNSafe技术则逐步进入商用车载充电机（OBC）应用领域。
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