2025年6月15日，智新半导体首批1700V SiC MOSFET模块正式下线，标志着该项目取得重大阶段性成果，为后续批量装车应用奠定了坚实基础。
随着新能源汽车产业向1000V以上高压架构快速演进，电驱系统对功率器件的性能、效率与可靠性提出了更高要求。1700V电压等级尤其契合1200V平台主驱逆变器的需求，成为突破传统硅基（IGBT）性能瓶颈、实现电驱系统高效化、轻量化、长续航的核心器件。
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细节之处见真章
采用经典HPD封装形式，耐压跨越1500V，直接提升至1700V，且保持模块尺寸基本不变，提高产品应用场景兼容性；
采用高性能基板AMB陶瓷基板、纳米银烧结技术，确保高温、高湿、高振动环境下长期可靠性；
采用低热阻设计，提升功率密度，满足紧凑型电驱系统布局需求；
采用高压元胞结构设计，实现低导通电阻与高耐压的平衡；
优化终端场限环设计，提升反向阻断电压至2180V；
采用平面型封装与芯片间隔排布，降低寄生电感≤10nH。
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技术领先，性能卓越
开关损耗：Eon/Eoff降低60%，显著提升系统效率；
导通损耗：3mΩ以内阻抗，相比IGBT降低50%导通损耗@1200V/400A；
开关频率：支持100KHz以上开关频率；
极限电流：≥450Arms@工作电压1200V，10kHz；
工作温度：采用椭圆pinfin散热水道，支持175℃以上更高温环境工作；
电控效率：相比1700V Si IGBT效率96%，1700V SiC MOSFET效率可达99%，有3%以上的客户性能提升；
充电时间：相比1200V模块，1700V模块可再次降低充电时间20%，相比750V平台，1700V平台可降低充电时间75%。
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广泛应用，赋能多元场景这款1700V SiC MOSFET模块的 “用武之地” 极广，高性能高端越野车、电动卡车、电动矿车的三相逆变器、OBC模块、兆瓦级超级充电桩等场景。
沪公网安备31010702008139