继国外龙头企业于2025年4月发布全球首款SDIP-26系列Full SiC IPM产品之后，海信功率半导体于7月份发布了自主研发的Full SiC IPM（HMS15A075D1）。据行业信息收集，该产品是国内首款SDIP-26系列的全碳化硅智能功率模块。
第三代半导体材料碳化硅（SiC），禁带宽度3倍于硅（Si）材料，具有损耗低、耐压高、温度特性好和可靠性高等特点。SiC在家电、工控、光伏储能和新能源汽车等领域成为"性能升级首选"，在双碳战略背景下，将成为下一代家电变频技术的支柱型半导体器件。 根据全球权威半导体咨询机构Yole Development预测，2024-2029年全球碳化硅功率器件市场或将保持39.9%的复合增长率至136亿美元。
产品特点
01
自研全碳化硅智能功率模块损耗降低55%，电流输出能力提升51%
（1）自研SiC IPM(HMS15A075D1)模块与Si IPM(HMR15A060D2)相比实测功耗降低55%，开关损耗降低86%，高频应用更好。
图1 SiC IPM与Si IPM损耗对比
（2）相同输出功率情况下，IPM最大效率提升2%，IPM最高壳温降低50℃，实际测试温升优势明显。
图2 SiC IPM与Si IPM效率与壳温对比
（3）相同开关频率下（fc=6kHz，Tvj=125℃），SiC IPM与Si IPM方案相比，最大输出电流能力提升51%，让终端产品功率密度更高，带载能力更强。
图3 SiC IPM与Si IPM最大电流输出能力对比
02
自研SiC IPM耐压提升30%，产品电网适应能力更强
自研Full SiC IPM采用750V额定电压规格设计，常温25℃下，SiC IPM比Si IPM的耐压提升30%，耐压高达980V；高温125℃下，SiC IPM的耐压能够突破1000V。
图4 SiC IPM与Si IPM的耐压对比
03
自研SiC IPM导通压降全电流范围内，电压与温度的变化率仅为1.2mV/℃，温度特性好
SiC IPM在电流范围（0-15A）内，导通压降从25℃到125℃，变化率仅为1.2mV/℃，同等条件下，比Si IPM低60%。
图5 SiC IPM与Si IPM的导通压降对比
04
自研SiC IPM抗短路能力提升75%，可靠性更强
高温125℃下，SiC IPM能够承受短路的时间为7us，Si IPM为4us，抗短路能力提升75%，产品在极端情况可靠性更强
图6 SiC IPM与Si IPM的短路能力对比
*以上数据来自海信功率半导体实验室，仅供参考
系列化布局，赋能绿色未来
SiCIPM模块后续将推出系列化产品，覆盖三种封装系列的Full SiC和Hybrid SiC IPM模块，电流规格15A-50A，为新一代变频家电、工控、光伏储能和新能源汽车等领域提供绿色、高效、可靠的半导体解决方案。
图7 SiC IPM产品系列化图谱
即刻体验，引领变革！
海信功率半导体现已开放以下SiC IPM样品申请，欢迎业界伙伴垂询、索取样品，共同探索SiC技术带来的无限可能！
表1 海信功率半导体SiC IPM样品申请开放清单
沪公网安备31010702008139