9 月 24 日，PCIM Asia Shanghai 在上海新国际博览中心 N4&N5 馆盛大启幕。作为电力电子领域的年度核心盛会，本届展会为期三天，不仅汇聚了国内外头部行业领军企业，更集中呈现了涵盖功率半导体元件、集成电路在内的全链条创新产品，以及适配新能源、工业控制等场景的前沿技术解决方案，全方位覆盖电力电子产业的核心需求与发展方向。
接下来，「NE 时代」将以深耕行业的观察者视角，带您沉浸式 “云逛” PCIM Asia Shanghai 首日现场—— 直击展台前沿展品、捕捉技术创新亮点，一站式解锁这场电力电子盛会的首日盛况。
01.
英飞凌
在本次PCIM Asia shanghai上，英飞凌在电动化出行展区展示了多款车规级IGBT及功率器件模组及封装。
其中，英飞凌展出的针对电动化出行的新一代嵌入式碳化硅解决方案，采用英飞凌新一代G2p芯片的1200VCoolSiC™嵌入印制电路板（PCB），采用AMB内绝缘（根据客户可选），可实现1-2nH的低杂散电感、干净/快速开关，可灵活扩展的PCB设计，满足不同功率和尺寸要求。
另外，该方案可以最大化碳化硅芯片面积利用率，实现更低系统成本，助力提升整车能效，并降低电池配置成本，为下一代电驱系统提供更高效率、更高集成度的方案。
除了嵌入式模块之外，在电动化出行展区，英飞凌还展示了上汽英飞凌HPD Mini功率模块（支持400V，800V平台）、HybridPACK™ HD模块（采用紧凑型设计）、SSC模块（新一代塑封半桥模块）、IDPAK封装分立功率器件、汽车级CIPOS™ Maxi 碳化硅智能功率模块（全球首款车规级1200V三相碳化硅智能功率模块，适用于电动汽车空调压缩机、高压水泵/油泵等电机控制）、汽车级CIPOS™ Prime塑封模块、IGBT半桥塑封模块以及800V SiC主驱逆变器系统（采用HPD Gen2 1200V SiC MOSFET，最高耐受结温可达200°C）等多款重磅产品。
现场，英飞凌还呈现了氮化镓全家族产品，包括CoolGaN™ G3和G5多个型号，电压等级覆盖60V至700V。依托全球首批 300 mm 氮化镓晶圆产线，产能跃升带来持续供应与成本优势。
02.
中车时代半导体
中车这边展示了两款基于转模塑封的L7、L8模块的主驱电控，其中基于L7模块的主驱电控，系统电压最高支持950V，输出功率可达200kW，可满足分布式电驱应用，现场看很小。基于L8模块的主驱电控同样电压最高支持950V，输出功率可达350kW。
此外，还有一款混动双电控产品，是基于中车S7+S9模块的方案，电压最高支持950V，输出功率可达300kW，集成了无磁芯电流传感器，有点类似前段时间汇川联合动力发布的五代混动双电控方案。
模块方面，中车展出了L7、L8以及S7模块。其中L7模块采用的是平面转模塑封，具有极低的开关损耗、高工作结温以及低导通电阻等特点，杂散电感7-8nH，内含中车自研传感器完美匹配模块短端子方案。
L7—L8—S7
L8模块采用中车超精细沟槽芯片，配合银烧结以及一体塑封工艺，功率密度大幅提升，杂散电感也很低只有6nH，相比传统PinFin结构降低8%RthJ-F。
S7模块主要覆盖150kW以下平台，同样内含中车自研传感器适配短端子方案。S9模块没有具体展出。
03.
博世
博世这次展出的产品当属嵌入式的功率模块最引人注目了，采用的PP内绝缘方案。同时采用其二代碳化硅芯片的PM6模块也有展出，此外，还有一款紧凑型碳化硅功率模块CSL，其800V母线电压下，电流范围可覆盖410-500Arms。400V母线电压下，电流范围可覆盖640-800Arms。杂散电感＜6nH，一个桥臂上，不同芯片温度差可控制在3摄氏度以内。
嵌入式模块—PM6模块—CSL模块
其第二代碳化硅功率裸片是专门为新能源汽车应用设计的，减少电驱动和能源转换过程的能量损失，增加续航里程。博世提供1200V和750V两种电压等级的碳化硅祼片产品，并在性能、可靠性、鲁棒性以及易用性方面对产品进行了优化。第二代产品在高温下的导通电阻、开关表现、内置栅极电阻等方面具有更优异的表现。即将量产的第三代产品会进一步巩固博世碳化硅的技术领先地位。
04.
罗姆
本次展会，罗姆展示了其在工业设备和汽车领域中卓越的SiC和GaN产品和技术。
其中，在车载应用领域，罗姆带来了新型二合一SiC塑封型模块TRCDRIVE pack™（该模块内置第4代SiC MOSFET，专为电动汽车牵引逆变器设计）、四合一以及六合一结构的SiC塑封模块（采用“HSDIP20”封装，内置有散热性能优异的绝缘基板，即使大功率工作时也可有效抑制芯片的温升，适用于xEV车载OBC的PFC和LLC转换器等应用）；
此外，罗姆开发的二合一SiC模压模块DOT-247也在展会亮相，该模块采用由两个TO-247封装组成的组合结构。这种设计能够使用以往TO-247封装难以容纳的大型芯片，并通过独特的内部结构实现低导通电阻，同时散热性提高、减少元器件数量。该模块主要面向工业设备和车载应用。
另外，罗姆的TO247分立式SiC MOSFET通过实用的三相逆变器板展示，主要用于牵引系统。
本次展会，罗姆的展品是基于Power Eco Family的品牌概念呈现，将罗姆的主要功率器件系列结合在一起，涵盖EcoSiC™、EcoGaN™、EcoIGBT™、EcoMOS™四大产品群。
同时，每个产品群都将通过现场演示、采用案例和展台上提供的实践评估工具来展示。
05.
安森美
安森美基于M3e EliteSiC™技术的最新功率模块可实现超高功率密度，适用于主驱逆变器应用。该模块优势显著。低于4nH的杂散电感、配合M3e EliteSiC技术可实现1.4mΩ的内阻、同时支持螺丝与压接两种便捷安装方式。同时，安森美还提供配套的隔离式栅极驱动器。栅极驱动器NCV51755的核心优势包括：支持15A峰值电流及可调输出强度、满足ISO-26262 ASIL-D功能安全等级、集成诊断功能。
安森美的OBC方案也采用创新的M3S EliteSiC™技术，通过DAB结构实现交流到直流的转换，可提供电气隔离，且具备双向传输能力安森美还展示了PowerTrench® T10 MOSFET、汽车照明、功率器件先进封装等解决方案和应用案例。
06.
赛米控丹佛斯
赛米控丹佛斯这次展出使得超低杂散电感的SiC模块基本与嵌入式相当，赛米控丹佛斯的eMPack系列产品采用柔性层连接的DC端子叠层结构，有效降低直流回路杂散电感，提升系统效率；DPD（Direct Pressed Die）技术优化热阻，强化模块出流能力；激光焊接工艺应用于内部连接，大幅提升功率密度。这些技术协同作用，实现模块成本与性能的最优平衡。
eMPack® 3-level—eMPack®—eMPack® M
eMPack® 3-level功率模块平台（1200V），最大输出功率可实现500kW，最大输出电流可实现600Ams。采用双面烧结(DSS)封装工艺以及DPD技术可实现低热阻，低封装杂散电感。
eMPack® M功率模块平台（750V和1200V），最大输出功率可实现450kW，最大输出电流可实现500Ams。同样采用双面烧结(DSS)封装工艺以及DPD技术可实现低热阻，3.5nH封装杂散电感，包括端子。
eMPack®功率模块平台（750V和1200V），最大输出功率可实现750kW，最大输出电流可实现900Ams。也是采用双面烧结(DSS)封装工艺以及DPD技术可实现低热阻，2.5nH封装杂散电感，包括端子。
此外，赛米控丹佛斯还有一款三电平产品，这款模块提供两种版本：传统的两电平拓扑和现代的三电平拓扑，两者共享相同的物理外形尺寸。
其中三电平拓扑称为T型中性点箝位（TNPC），每个半桥采用四个开关，而两电平设计中只有两个开关。这种配置可降低开关损耗并提高效率。与NPC相比，TNPC的一个主要优势是它不需要额外的二极管，从而释放空间以在同一模块中集成更多的半导体芯片。在这种拓扑结构中使用SiC MOSFET可确保更高的效率和可靠性。
07.
宏微科技
宏微科技携全产业链产品及解决方案参展亮相，包括1700V IGBT模块、车规级灌封模块/塑封模块、光储功率器件、以及第三代半导体等产品，覆盖工业、家电、光伏储能以及新能源汽车等领域。
其中，宏微科技带来了多款车规级功率模块，包括应用于800V系统的SiC主驱模块、400V系统的IGBT主驱模块，以及应用于800V系统的IGBT主驱模块。
需要重点提及的是，宏微科技的 GVE 系列三相六单元拓扑模块，是依托宏微新一代 M7i + 芯片技术而开发的，相较于上一代产品，其性能实现了明显提升。除此之外，GVE 模块选用了耐温性能更出色的封装材料，即便体积比前代 GV 系列缩减了 20%，仍能保持同等的电流输出能力，实现更高的功率密度，同时让系统成本具备更强的竞争力。
与此同时，该模块的封装还可兼容 SiC 芯片，拥有 6 并、4 并、2 并的规格配置；并且采用了第三代平面栅 SiC 芯片，搭配纳米银烧结工艺与 DTS 工艺。
另外，宏微科技控股子公司芯动能也带来了多款塑封SiC/IGBT模块。值得注意的是，本次芯动能带来了一款介于模块和单管间的一种塑封小模块SiC SMPack模块，电压等级1200V，适用于OBC&DC/DC、空压机、充电桩等领域。
沪公网安备31010702008139