近日，意法半导体推出了一系列基于氮化镓（GaN）技术的反激式电源集成器件VIPerGaN50W，可简化紧凑、高效的USB-PD充电器、快速电池充电器和辅助电源的设计和构建。该系列产品采用了英诺赛科700V高性能氮化镓晶圆，实现了电源设计更紧凑、更高效应用。
作为意法半导体的战略合作伙伴，英诺赛科提供的700V GaN晶圆具备优异的电气性能和可靠性，助力VIPerGaN50W产品在紧凑封装中集成了反激式控制器与优化栅极驱动器。该器件内置700V GaNFET，导通电阻为600mΩ，进一步提升了系统能效和功率密度。
英诺赛科GaN晶圆的核心优势：
封装极小，系统更紧凑
得益于GaN晶圆的小尺寸特性，该器件采用DFN5*6封装，集成了高性能GaN与先进PWM控制器IC，最大限度地缩小PCB尺寸和物料清单，降低系统成本。
损耗低、效率高、发热小
GaN器件具备极低的驱动损耗与开关损耗，支持更小的功耗和更高的效率，更节能环保。同时，低损耗带来低温升，优化系统热管理设计。
高开关频率，功率密度再提升
低开关损耗使得器件可支持最高330kHz的开关频率，助力客户开发更高功率、更小体积的电源产品，满足市场对高功率密度设计的迫切需求。
意法半导体VIPerGaN50W在准谐振模式下运行，具备零电压开关（ZVS）特性，配合频率折返与谷值锁定技术，可确保全负载范围内的高效与静音运行。在空载时，转换器以突发模式运行，将功耗降低到30mW以下，有助于满足严格的生态设计法规。此外，该器件还集成多项保护功能，包括输入/输出过压保护、热关断、欠压锁定等，确保系统的安全性和可靠性。
当前，搭载VIPerGaN50W的评估板EVLVIPGAN50WF已正式上市，支持15V/50W隔离反激转换与同步整流，适用于90–265VAC宽电压输入，助力客户快速实现产品落地。
英诺赛科将继续与意法半导体深化合作，推动GaN技术在高效电源领域的创新与应用，为全球客户带来更绿色、更智能的电源解决方案。
沪公网安备31010702008139