NE时代

在追求极致能效与功率密度的电池管理领域，传统Si MOS的局限日益凸显。复杂的“背靠背”配置、高导通损耗和寄生参数，已成为系统升级的瓶颈。英诺赛科基于自研VGaN（双向氮化镓）开发的全系列高、低边BMS解决方案，不仅是简单的器件替代，更是从拓扑架构到系统生态的全面革新。

近日，英诺赛科发布最新高边同口BMS方案- INNDBMS120HA1，基于VGaN特性和英诺赛科自研驱动，助力系统创新，为客户带来更高安全性、更简化的系统和更低系统成本的显著价值。此次发布也标志着英诺赛科BMS方案矩阵更为完备，灵活满足从高端储能到消费动力等不同场景的需求。

全新高边方案，引领安全与集成新标准

INNDBMS120HA1 方案采用自研高压侧驱动芯片 INS1012SE 与100V VGaN功率器件 INV100FQ030C。实现了“拓扑优化”与“系统简化”的双重升级。

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架构革新，安全优先

采用高边同口拓扑，将VGaN置于电池正极通路。保护动作时直接切断电池正极，提供本质安全；同时确保电池包与系统端始终保持共地，彻底避免保护触发后的通信中断问题，无需额外隔离电路，降低复杂性与静态功耗。

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VGaN内核，高效基石

核心器件INV100FQ030C凭借其无体二极管、双向对称阻断的特性，单颗即可替代传统背靠背双 Si MOS，3.2mΩ的超低导通内阻和4mm×6mm的小封装，帮助实现节省空间、减小发热和降低系统成本。

该方案已通过120A持续放电、1200A以上短路保护等严苛测试，温升控制优异，印证了氮化镓技术在高可靠场景下的强大实力。

英诺赛科完备的氮化镓BMS方案矩阵

INNDBMS120HA1并非孤例，它是英诺赛科为满足多元市场需求而构建的完整方案之一。截止目前，英诺赛科已根据拓扑结构、功率等级和驱动技术，推出了多款方案，为工程师提供清晰的选择路径。

（更完整的方案信息，可参考英诺赛科官网或联系英诺技术团队获取评估）

高边 or 低边？您的系统该如何选择？

面对高边与低边两种主流拓扑，选择的关键在于理解其系统级差异。

高边方案（如HA1/HS3/180HS1）：

• 更高的本质安全：保护时切断电池正极

• 无缝通信：系统共地，无需担心保护触发后通信中断

• 更高集成度：省去隔离电源和隔离通信电路，降低系统复杂度和静态功耗

• 适用场景：高端储能系统、电动汽车、对安全与可靠性要求极高的工业设备

低边方案（如LS4/LS1）：

• 设计简易与快速上市：驱动电路更简单，技术更成熟

• 优秀的成本控制：通常整体成本更具优势

• 无缝兼容：极易与市场上主流的低边架构AFE芯片配合，便于在现有设计中升级

• 适用场景：消费级户外电源、电动工具、两轮电动车、对成本敏感的大规模应用

英诺赛科：从芯片到生态的构建之路

英诺赛科全系列BMS方案的演进，为行业提供了从器件到完整系统解决方案交付的路径。除了性能领先的VGaN功率器件，我们还推出专为VGaN优化的驱动IC（INS1012SE / INS1011SD），通过与VGaN深度协同，全面释放氮化镓的潜能，并帮助工程师极大简化了设计工作。

当前英诺赛科BMS方案已覆盖从120A~180A的主流功率段，并通过高边、低边拓扑的细分，满足不同客户在系统架构、安全等级、应用领域和成本上的差异化需求。