NE时代

随着AI大模型快速普及、高功耗服务器集群大规模部署，全球数据中心正加速向800V高压直流架构升级。碳化硅作为核心功率半导体材料，其晶体质量直接决定AI电源、固态变压器、机柜配电系统的可靠性、能效与成本。

江苏超芯星半导体有限公司今日正式宣布，成功研发并实现亚零位错碳化硅衬底。该产品位错总密度低于 150个/cm²，其中关键指标达到：

TSD（螺型位错）≤ 5个/cm²

BPD（基底面位错）≤ 10个/cm²

TED（刃型位错）≤ 130个/cm²

超芯星 亚零位错碳化硅衬底位错数据示意图

这一突破性成果标志着超芯星在碳化硅衬底技术领域迈入国际领先行列，为AI算力、新能源汽车、高端储能等场景提供了真正高可靠、高效率、低成本的性能底座。

位错缺陷：AI算力长期被忽视的“隐形杀手”

碳化硅晶体中的位错属于微观结构缺陷，是导致功率器件漏电、击穿、老化加速的根本原因之一。在AI服务器7×24小时满载运行的高频高压工况下，传统衬底无法满足零容错、长寿命的严苛要求，直接引发：

• 功率器件突发失效，增加宕机风险

• 导通损耗与开关损耗升高，推高PUE值

• 外延良率偏低，拉高硬件成本

超芯星技术团队指出：“AI算力对底层材料的稳定性要求远超车规级。只有实现（亚）零位错晶体生长，才能从根本上解决行业痛点。”

三大指标全面领先，重新定义高端碳化硅基准

位错类型	超芯星产品指标	行业领先水平	核心价值
TSD (螺型位错)	≤5 个/cm²	＜50 个/cm²	彻底消除高压击穿隐患，保障算力集群全天候稳定运行
BPD (基底面位错)	≤10 个/cm²	＜300 个/cm²	抑制漏电与双极型衰减，延长器件寿命30%以上，满足数据中心10年免维护需求
TED (刃型位错)	≤130 个/cm²	＜2000 个/cm²	外延良率提升至98%以上，降低下游客户综合生产成本20%以上

超芯星亚零位错碳化硅衬底，不仅精准适配AI算力数据中心，同时广泛适用于新能源汽车、高端储能、超快充电桩、航空航天与特种电源等高附加值赛道。

全场景落地：以AI算力为核心，赋能多领域高端应用

1、AI算力数据中心（核心赛道）：

• 适配800V高压直流架构服务器电源、高压固态变压器、机柜配电系统

• 降低PUE值，减少集群能耗损耗

• 高良率助力硬件成本下探，推动算力设施普惠化

2、新能源汽车：

• 适配400V/800V/1200V及以上高压平台主驱逆变器、OBC、DC/DC转换器

• 提升电动车续航5%-8%，有效控制高频快充热失控风险

3、高端储能 & 超快充电桩：

适用于大型光伏储能电站、400V-1200V大功率直流快充设备，延长设备服役周期8-10年，大幅降低运维成本。

4、航空航天&特种电源：

满足军工航空无返修类特种供电设备要求，适应极端高低温、强振动等恶劣工况，符合国家级高端项目标准。

5、光伏逆变器：

集中式、组串式光伏逆变器及大型储能电站，降低漏电概率，延长逆变器服役周期8-10年，适配新能源电站招标要求。

全尺寸覆盖，稳定供货，支持定制

超芯星亚零位错产品可接受送样测试与定制化工艺调试，公司将持续以市场需求为导向，推动高端碳化硅材料从“可用”向“好用”跨越，助力中国AI算力及功率半导体产业链自主可控、高质量发展。