随着全球能源结构转型与电子设备向高功率、高可靠性升级，第四代半导体材料凭借卓越性能成为产业焦点。其中，氧化镓以4.9eV超宽禁带、8MV/cm高击穿电场的独特优势，被视为解决高压、高频、高温应用场景痛点的 “关键材料”。2025年11月，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）依托深厚技术积累，正式推出（011）晶面氧化镓衬底片新品，持续为产业突破提供核心支撑。
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核心性能拉满，定义衬底品质新标杆
新品β-Ga2O3（011）晶面衬底片可提供10mm*10.5mm及10mm*15mm两种精准尺寸，短边定位 [100] 晶向，带来更稳定的器件制备基础。
在关键性能指标上，产品实现全面突破：
性能检测卓越
10mm*10.5mm尺寸（011）晶面衬底在XRD检测中双曲线摇摆曲线半高宽仅为32.1arc sec,晶体取向分布集中；峰位为35.29°，非常接近理论值35.148°。产品以优异表现从根源上保障器件长期运行稳定性。
表面质量顶尖
衬底片表面质量达到行业顶尖水平，Ra值小于 0.5nm的超光滑表面，晶面偏差严格控制在±1°以内，并支持单面/双面抛光定制，为外延生长提供完美基底。
定制类型多样
（011）晶面衬底片提供多种掺杂及载流子浓度选项，当前可提供UID、Sn、Mg/Fe 三种掺杂类型，适配多样化器件设计需求。
每一项参数的背后，都是镓仁半导体对工艺细节的极致追求，让下游客户在高功率、高精度器件研发中无需妥协。
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（011）晶面独树一帜，引领产业发展新方向
作为氧化镓材料领域的创新晶面选择，（011）晶面具备多重不可替代的优势，将重塑未来产业应用格局：
缺陷抑制能力更强
（011）晶面结构天然规避线形缺陷，减少电场集中与反向电流问题，显著提升功率器件的击穿性能与使用寿命，尤其适配超高压应用场景。
电接触性能更优
（011）晶面表面势垒高度低于传统（001）晶面，更易实现低电阻欧姆接触，降低器件导通损耗，为5G基站电源、特高压输变电设备等高效能场景提供支撑。
外延兼容性更广
（011）晶面与 AlGaO、InGaO 等多元固溶体材料的晶格失配度小于 1.5%，可稳定生长高质量外延层，为研发多波段深紫外探测器、量子阱激光器等新型器件奠定基础。
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持续创新不止，彰显科研硬核实力
（011）晶面衬底片的成功研发并非偶然，而是镓仁半导体长期技术积累的必然结果。依托具有自主知识产权的铸造法及自主研发的氧化镓专用晶体生长设备，公司聚焦行业痛点，已顺利实现多个尺寸、不同晶面氧化镓单晶的稳定生长与导电型掺杂突破，持续展现创新”镓“速度。
2025年，镓仁半导体不仅创造了从2英寸到8英寸每年迭代一个尺寸的行业记录，更是仅用短短一年时间实现了VB法从零开始到6英寸单晶的突破，有效填补了国内相关领域空白，为我国第四代半导体材料国产化替代提供了关键支撑。
此次（011）晶面产品的推出，进一步丰富了公司氧化镓衬底产品矩阵，也印证了公司在晶体生长、工艺优化、性能调控等核心环节的全链条技术实力。从实验室到产业化，镓仁半导体正以持续的技术突破，为第四代半导体产业发展赋能，助力中国在全球半导体领域占据更核心的位置。
沪公网安备31010702008139