在功率半导体国际年会“ISPSD”上，中国企业的存在感正在提高（出处：日经XTECH）
在功率半导体市场上，中国企业的存在感正在增强。另一方面，相关研究领域情况如何呢？参加2026年5月召开的功率半导体领域著名国际年会“ISPSD 2026”的日本九州工业大学研究生院的生命体工学研究科生体机能应用工学专业教授大村一郎表示，可以看到在碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）和氧化镓（Ga₂O₃）等新一代材料的研究方面，中国正在崛起，但在高耐压硅（Si）功率半导体方面，日本企业仍保持着优势。
大村担任2025年ISPSD的General Chair（大会主席）。除了年会之外，还参加海外展示会进行调查。大村还出席2026年7月2日召开的研讨会“功率半导体行业由AI数据中心、人形机器人和纯电动汽车拉动”（主办：日经XTECH/日经ELECTRONIC），解说从2026年的ISPSD看到的功率半导体技术的趋势和将来的动向。
中企席卷氮化镓和氧化镓市场
近年来，ISPSD在每年5~6月举行，数百名功率半导体业界相关人士参加（2020年受新冠疫情影响而于9月举行）。该学会是半导体行业规模最大的国际年会。2026年的举办地是美国拉斯维加斯，据大村表示约有400人参加。2025年超过660人。与其他地区举办相比，日本举办的年会本来就有参加人数更多的倾向。这是因为日本企业拥有很多功率半导体技术人员和研究人员。此外，日本地理位置比美国近，方便与会人员从中国等亚洲地区前往，这也产生了影响。2026年在美国举办，由于签证问题等原因，来自中国的参加者的减少成都尤为显著。
ISPSD通常在每年的5~6月举行。1988年第1届在东京举行。有近40年的历史（出处：日经XTECH）
尽管如此，从各国家和地区的参加人数来看，中国仍仅次于美国，居第2位。美国为99人，中国为95人，均不到100人。紧随两国之后的是日本，超过70人。
继2025年之后，2026年也有很多关于碳化硅和氮化镓的研究发表。其中，中国企业显示出存在感的是氮化镓。有关氮化镓的主要报告大多来自中国企业，数量也很多。
在瞄准后碳化硅时代的高耐压功率半导体用新一代材料的研究成果方面，中国企业也在崛起。例如，关于氧化镓的口头发表，5项全部是中国研究团队或中国与其他国家的共同研究团队的成果。关于金刚石功率半导体，在Poster Session（海报展示）环节只有一项，这一项即是中国研究团队的成果。
另一方面，日本企业一直以来以高耐压的硅功率半导体显示了存在感，包括三菱电机和东芝等。不过，中国在这一领域的存在感也在逐渐提高。
2027年的ISPSD将在台湾举行。不仅是来自亚洲的参加者，研究成果的发表也有望进一步增加。
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