英诺赛科基于自研GaN器件，把AI数据中心（AIDC）供电的全链路方案一次摆齐：AC-DC PFC、LLC隔离DCX、HVDC高压变换、多相Buck大电流降压，全拓扑覆盖，功率段从240W到12kW，全套Demo均已实测验证。
三大核心优势：超高效率、极致功率密度、低损耗低温升，对应到运营端就是更低的PUE、更小的电源整机体积、更高的整机可靠性。800V HVDC高压直流架构正在成为新一代AI机柜的供电方向，氮化镓器件是这条架构落地的关键一环。
五款方案逐一来看。
01.
5.5kW TCM PFC（INNDAD5K5A1）：交流入口第一关
电网交流电进来的第一级，把交流变成400V直流，是电源的"大门"。
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拓扑：TCM临界导通升压PFC
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输入/输出：200–264Vac → 400V
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功率：5.5kW
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效率：峰值99.3%@2.4kW，满载98.9%@5.5kW
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核心器件：8颗650V GaN HEMT INN650TP020E
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功率密度：200W/in³
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尺寸：130×86×40mm
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应用场景：AI超算、服务器电源
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保护功能：输入欠压、输出过流、输出短路
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状态：即将发布（PCIM Asia 2026已实物展出）
02.
1kW LLC DCX（INNDDD1K0A1）：隔离直流变换
直流中间变换，固定4:1变比降压，兼顾隔离。开关频率做到1MHz，变压器体积被压到很小。
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拓扑：开环全桥LLC
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输入/输出：36–60Vdc → 9–15V（固定变比4:1）
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功率：1kW
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开关频率：1000kHz
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效率：峰值98.0%
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核心器件：2颗100V SolidGaN ISG3201（合封氮化镓）+ 2颗40V INN040FQ015A
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功率密度：2150W/in³
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尺寸：39×26×7.5mm
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应用场景：数据中心、电信、储能
03.
12kW HVDC（INNDDD12KA1）：800V高压直流方案
800V高压直流配电的隔离降压段，双路独立输出，支持水冷，面向AI机柜这类大功率场景。
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拓扑：LLC初级侧级联架构
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输入/输出：800V → 两路独立50V/120A
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功率：稳态12kW
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效率：峰值98.63%@50%负载，满载98.18%
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核心器件：8颗650V INN650DD023EAD（初级）+ 32颗100V INN100EBD010EAD（次级同步整流）
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散热：支持水冷
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尺寸：整板146×124×37mm，功率部分60×124×11mm
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应用场景：AI超算、服务器电源
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保护功能：输入欠压、输出过流、输出短路
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状态：新发布（官网说明书已公开）
04.
1.5kW多相Buck（INNDDD1K5A1）：末端大电流降压
链路末端，把中压降成12V给服务器供电，电流大、发热敏感。
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拓扑：四相交错Buck
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输入/输出：40–60Vdc → 12V/125A
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功率：1.5kW
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效率：峰值98%@1kW（48V输入时），满载97.7%@1.5kW
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核心器件：每相1颗半桥驱动INS2002FQ + 1颗INN100EBD025DAD + 1颗INN100EBD018DAD
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优势：系统损耗较硅基方案降低30%
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功率级尺寸：50×16×18mm（整板18mm厚）
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应用场景：服务器电源、新能源汽车电源、工业/通信电源
05.
2kW多相Buck（INNDDD2K0B1）：更高电流档
同样的链路末端位置，电流档更高，适合更耗电的负载。
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拓扑：四相交错Buck（4颗耦合电感）
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输入/输出：40–60Vdc → 12V/170A
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功率：2kW
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效率：峰值98.10%@1kW，满载97.71%@2kW
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核心器件：每相1颗半桥驱动INS2002FQ + 4颗INN100EA035A
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优势：系统损耗较硅基方案降低30%
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功率级尺寸：68×30×18mm（整板18mm厚）
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应用场景：服务器电源、新能源汽车电源、工业/通信电源
06.
写在最后
把五块板子看完，结论其实很朴素：氮化镓在AI数据中心的供电，已经从"能不能用"走到了"全链路都有得选"。
这五款方案拼起来，正好是800V HVDC架构从交流入口到芯片负载的完整拼图，英诺赛科一次给齐了。GaN从消费电子快充走向数据中心供电，这是国内氮化镓产业链对AI算力基建潮最直接的一次回应。
接下来值得盯两件事：800V HVDC的招标窗口什么时候打开，全链路的客户验证什么时候跑通。前者决定需求节奏，后者决定英诺赛科这套方案的卡位能站多久。窗口已经打开，全链路可获得性决定谁能先吃到这波AI算力基建的红利。
五款方案，五个位置，一个结论——氮化镓在数据中心供电的牌桌上，已经把牌摆齐了。
沪公网安备31010702008139