NE| 快讯

◎安森美完成对Qorvo碳化硅JFET技术的收购

◎双环科技与比亚迪签约，进军新能源汽车核心供应链

◎电装开发GaN 三电平逆变器，与富士电机共谋SiC

◎吉利汽车埃及工厂投产，预计三年内实现约3万台年产能

01.

安森美完成对Qorvo碳化硅JFET技术的收购

安森美宣布已完成以1.15亿美元现金收购Qorvo碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司United Silicon Carbide。

SiC JFET技术的加入将补足安森美广泛的EliteSiC电源产品组合，使其能应对人工智能（AI）数据中心电源AC-DC段对高能效和高功率密度的需求。在电动汽车应用中，用基于SiC JFET的固态断路器替代多个组件，有助于提高能效和安全性。在工业终端市场，SiC JFET将支持某些储能拓扑和固态断路器应用。

“此次收购进一步加强了安森美在功率半导体领域的领导地位，我们会为客户提供颠覆性和市场领先的技术，以解决他们在人工智能数据中心、汽车和工业市场中最紧迫的功率密度和效率提升难题，”安森美电源方案事业群总裁兼总经理Simon Keeton说，“我们将持续创新和投资，以提供更全面的电力系统解决方案，巩固我们在这一技术领域的领先地位。”

02.

双环科技与比亚迪签约，进军新能源汽车核心供应链

近日，湖北双环科技股份有限公司成功打入新能源汽车核心供应链，与行业巨头比亚迪达成重磅合作，正式成为其纯碱供应商 ，并已签订首批1500吨纯碱供货合同。

湖北双环科技股份有限公司此前已成功成为宁德时代等国际国内知名企业的供应商。此次牵手比亚迪，再次彰显了双环科技在纯碱领域的强大竞争力。

03.

电装开发GaN 三电平逆变器，与富士电机共谋SiC

1月15日，名古屋大学和日本电装公司利用横向 GaN HEMT，合作开发出了一种 800V 兼容逆变器（三相、三电平），主要用于驱动使用的电动汽车牵引电机。

三电平逆变器是一项有望应用于电动汽车的技术。这种技术以低损耗、低谐波和低失真交流电源高效运行高输出电机。三电平逆变器与传统的两电平逆变器相比，具有以下显著优势：

○ 降低开关损耗和开关噪声：在三电平逆变器电路中，功率半导体以两个串联连接，施加到每个器件上的电压是两电平电路的1/2，从而减少了逆变器运行时的开关损耗和开关噪声。通过降低开关噪声，可以减小作为噪声抑制元件的LC滤波器的尺寸。

○ 使用低压功率半导体：可以使用低压功率半导体配置以更高电压驱动的逆变器。一般来说，击穿电压越低，功率半导体的损耗越低，开关速度往往越高。GaN器件比Si具有更高的耐压和更高的效率，并且可以比SiC更高的速度运行，其应用范围将扩大，使用价值将增加。

○ 减少电机损耗：为电动汽车提供动力的交流电机设计为以理想的正弦交流功率输入高效旋转。在PWM控制中，虽然宏观上会产生可以被视为正弦波的交流功率波形，但实际上每次功率半导体切换时，电流值都会细微增加或减少，导致电机中出现绕组涡流损耗、磁体涡流损耗和定子铁芯铁损。使用能够高频工作的GaN器件来提高载波频率（开关频率）并引入三个电平，可以减少总谐波失真（THD）并抑制电机中的损耗。

而在1月6日，电装与富士电机共同推出的“半导体供应保障计划”获得批准并正式启动。该计划总投资规模达2,116亿日元，其中包含705亿日元的专项补助，旨在通过碳化硅（SiC）功率半导体的技术升级和生产能力提升，进一步加强供应链的稳定性，以更好地满足市场需求。

根据计划，电装将在大安制造所负责SiC晶圆的生产，并在幸田制造所推进SiC外延晶圆的制造；富士电机则依托松本工厂，开展SiC外延晶圆及SiC功率半导体的制造工作。双方通过联合布局，将持续推动功率半导体技术在产业链中的广泛应用，为新能源领域提供稳定的技术支持。

04.

吉利汽车埃及工厂投产，预计三年内实现约3万台年产能

1月16日，吉利汽车在中东和非洲的首家全散件组装工厂，吉利汽车埃及工厂日前正式投产下线旗下两款车型。该工厂投产将推动埃及汽车制造转型升级，为消费者带来更好的智能出行新体验。

吉利汽车埃及工厂位于吉萨省的十月六日城，两款车型缤越和第四代帝豪15日在此下线。据介绍，这家工厂预计将在未来三年内实现约3万台的年产能，并承担更多车型的本地化组装工作。