氮化镓>(>GaN>)>也被称为宽带隙半导体,>化合物半导体>中带隙越宽,可以实现的耐压能力就越高。氮化镓>开关速度极快,几乎无反向恢复损耗,适合高频场景,可缩小电感、电容等被动元件体积,让设备更紧凑。在电源或电机驱动中,>氮化镓>能显著降低发热,提升功率密度。>
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图片来源:罗姆半导体> >
>上海车展期间>汇川、联电都拿出了各自的氮化镓>OBC>产品。浩思动力以及上海电驱动也都展出了其氮化镓主驱模块。>由此可见在>汽车领域>氮化镓>即将大规模应用,逐步取代硅基>IGBT>,成为高效功率转换的新标准。> >
>01.>
>氮化镓技术重构>OBC>能效边界> >
>◎>汇川联合动力>这次车展带来的氮化镓>OBC>是>两级式的>,>是基于新需求开发的全新>OBC+DCDC>二合一电源应用技术。相较上一代电源方案,具有高效率、高功率密度、易于多合一集成等技术优势。对比>传统>Si/SiC>方案,>功率密度提升>30%>,达>4.8kW/L>,>OBC>满载平均效率超过>96%>,>DCDC>工况效率高达>97.09%@700W>,相较于传统>Si/SiC>方案,重量减少>20%>。>
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汇川的氮化镓车载电源适用于电池电压范围在>200V>至>500V>的车型,其对功率回路做了优化,优化了高频大功率>PCB>布线技术,降低高速开关带来的干扰与损耗。通过级联>/>并联变换器磁性元件整体集成设计,系统性优化体积与损耗。散热方面是采用一体型材设计的水道结构,增大散热面积,降低热阻,同时减小体积与重量。> >
>◎>传统的>车载充电机>一般采用>PFC>(PowerFactor Correction>功率因数校正>)>和>HVDC>(>高压直流转换器>)>组合的两级拓扑,其电路结构复杂,且成本较高。而单级方案仅需一次隔离变换,就能实现交流与直流双向功率控制,可有效精简系统设计。>联合电子车展期间就展出一款单级式氮化镓>OBC>,拥有>6.8kW/L>最高功率密度,>96%>满载效率。>最核心的优势就是省去了中间母线电容和独立>PFC>级,元件数量减少以及降低成本和体积。>
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◎>单级式:交流输入>→单级高频逆变→变压器隔离→整流滤波→直接输出至电池。> >
>◎>两级式:交流输入>→>PFC>整流→中间母线→>DC-DC>隔离变换→输出至电池。> >
>02.>
>主驱氮化镓应用落地> >
>氮化镓>(>GaN>)>相比传统>IGBT>和碳化硅>(>SiC>)>,具有更高开关频率、更低开关损耗和更优成本>。具体而言,>氮化镓>场效应晶体管>(FET)>可以较低的系统成本提供最好的效率,同时使系统更轻、更小、温度更低。>具体到应用端最直接的就是>提高功率转换效率。>以>200kW>逆变器系统为例,采用>氮化镓>可将整机效率从>95%>提升至>99%>。这意味着可以将满负载工况下的功率损耗从>10kW>锐减至>2kW>,降幅高达>80%>。>
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由此产生的技术红利体现在三个维度:首先,>8kW>的有效功率释放可转化为牵引系统的直接动力增益;其次,系统热耗的大幅降低使得散热需求减少,配套冷却系统的体积和重量可缩减;>而且>这种系统级优化可转化为续航里程提升,或在不改变续航指标的前提下实现电池组容量缩减。> >
>◎>车展期间>浩思动力>发布的>Gemini>微型增程器就是搭载的>氮化镓功率模块>,也是全球首款应用氮化镓功率模块的混动系统。这款浩思自研的冰刃系列氮化镓功率模块采用了>PCB>嵌入式封装工艺,实现了系统整体效率提升>2%>、驱动电控单元体积缩减超>30%>。>
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其氮化镓器件用的是安世半导体级联型氮化镓器件>,采用了叠层结构和级联配置,结合了安世最新的>650V>高压>GaN HEMT H4>技术和将低压硅>MOSFET>技术,优化了栅极驱动并增强了系统稳定性,通过使用导通电阻>Rds(on)>低至几毫欧的>GaN>芯片结合>PCB>嵌埋封装功率半导体模块设计,可最小化封装产生的寄生电感,并且降低了连接电阻以及缩短了电流环路。> >
>◎>上海电驱动>车展期间也展出了一款>氮化镓的主驱模块>,>其氮化镓器件用的是>VisIC 650V D3GaN>™。>D3GaN>™设计既不是基于固有栅极限制的增强型氮化镓技术,也不是基于限制性能的共源共栅耗尽型氮化镓的技术,是一种新型的耗尽型直接驱动氮化镓技术。>
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当前的功率>GaN FET>有两个主流方向:增强型>(>E-mode>,单芯片常关器件)>和耗尽型>(>D-mode>,双芯片常关器件)>。目前>E-mode>栅极有稳定性和漏电流的问题,而驱动双芯片常关>(或者说共源共栅配置)>的>D-mode>器件非常简单并稳健。上海电驱动的这款跟浩思动力这款>GaN>功率器件都属于耗尽型。但>D3GaN>™相较于级联拓扑结构,具有更好的开关性能,并且比>e-mode>器件更具鲁棒性。> >
>03.>
>氮化镓能否主流替代> >
>◎>OBC>里面用氮化镓主要是其开关损耗非常低,>跟>SiC>一样没有反向恢复损耗,同时具有更高临界电场和更高迁移率的>WBG>材料,能够在更高的电压下提供最低的导通电阻>RDS(on)>,具备明显更好的开关品质因数。>还能让>OBC>变得更小>,因为>氮化镓>功率晶体管支持更快的开关速度和更高的工作频率,有助于改善信号控制,为无源滤波器设计提供更高的截止频率,降低纹波电流,从而帮助缩小电感、电容和变压器的体积。>
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◎>主驱里面用氮化镓其实整体效率提升不多,由于电机绕组的限制,在牵引逆变器中使用>GaN>器件需要大幅降低其开关速度。>dV/dt>被限制在>10 V/ns>左右,然而>GaN>器件仍具有优化电机的巨大潜力,随着测量结果越来越好,当前市场对于使用氮化镓的信心也在逐渐增强。>
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