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斯达半导体加码SiC与GaN等车规器件产业化布局

6月27日,斯达半导体股份有限公司(以下简称“斯达半导”)发布公告称,拟面向不特定对象发行总额不超过人民币15亿元的可转换公司债券(以下简称“可转债”)。本轮融资将聚焦车规级碳化硅(SiC)MOSFET模块、GaN模块及智能功率模块(IPM)三大方向,同时补充公司流动资金,进一步提升公司在新能源汽车电控系统核心器件领域的综合竞争力。

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融资用途明确,聚焦三大产业化项目

根据发行预案,斯达半导此次可转债发行将主要用于以下四个项目,涵盖功率半导体器件研发、产业化与产能扩充:

序号

项目名称

总投资额(万元)

拟投入募集资金(万元)

1

车规级 SiC MOSFET 模块制造项目

100,245.26

60,000

2

IPM(智能功率模块)制造项目

30,080.35

27,000

3

车规级 GaN 模块产业化项目

30,107.68

20,000

4

补充流动资金

43,000.00

43,000

合计203,433.29150,000

可转债要素概览

发行金额:不超过人民币15亿元

每张面值:100元,按面值发行

期限:6年,自发行日起计

转股期:自发行满6个月后的第一个交易日起至债券到期日

初始转股价格:不低于转股说明书公告日前20个交易日和前一个交易日公司股票均价

三大重点投资方向解析

1. 车规级 SiC MOSFET 模块制造项目

SiC器件作为新能源汽车主驱系统控制模块中的关键核心器件,具备高电压、高频率和高效率特性。本项目拟通过产线建设和工艺优化,扩大公司SiC模块产能,提升产品良率和车规认证能力,支撑公司在新能源汽车电控系统中高性能产品的量产交付。

2. IPM模块制造项目

IPM集成了IGBT/MOSFET与驱动电路,可广泛应用于新能源汽车空调、电动压缩机等高频中压场景。该项目将布局小型化、高可靠性的IPM模块产品体系,满足多元化车规市场需求。

3. 车规级 GaN 模块产业化项目

GaN器件具备更高开关频率、更低损耗等特性,在DC-DC转换、OBC(车载充电机)、LIDAR等新兴车载电源及智能传感器领域展现出巨大潜力。本项目目标是构建从GaN芯片封装、测试到系统集成的完整工艺平台,抢占下一代高压车规GaN器件市场先机。

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