7月30日，烁科晶体年产100万毫米碳化硅单晶项目启动仪式在山西省太原市举行。
据悉，年产100万毫米碳化硅单晶项目是中国电子科技集团有限公司与山西省人民政府战略共建的央地合作典范，旨在汇聚创新合力，牵引产业链上下游，打造国内领先的碳化硅单晶生长产业基地，投产后将新增100万mm碳化硅单晶和30万片碳化硅衬底的产能，并快速实现8英寸碳化硅衬底的产业化和12英寸碳化硅衬底的工程化应用。
据“行家说三代半”此前报道，除了该项目外，烁科晶体还布局了中国电科（山西）碳化硅材料产业基地，该基地分为两期建设，目前已经全部投产：
一期项目：该项目于2019年4月开工建设，9月主体封顶，12月设备开始搬入，2020年2月实现项目投产。一期项目总投资50亿元，达产后形成年产18万片N型SiC单晶衬底、5万片高纯半绝缘型SiC单晶衬底的产能。
二期项目：该总投资5.2亿元，于2023年9月开始建设，在今年2月宣布全面投产，预计可新增产能6-8英寸碳化硅衬底20万片/年、高纯衬底2.5万片/年、莫桑晶体1.3 吨/年。
值得关注的是，烁科晶体已经发布了12英寸高纯半绝缘碳化硅衬底、导电N型碳化硅衬底产品。其中，12英寸高纯半绝缘衬底凭借其光学性能优势，成为下一代“AR+AI”智能眼镜的核心材料。
烁科晶体表示，随着苹果Vision Pro、Meta 等高端AR设备的推出，全球AR市场进入高速增长期。烁科晶体12英寸高纯半绝缘碳化硅衬底技术壁垒的突破，不仅推动了碳化硅材料在光学领域的规模化应用，也为AR设备制造商提供了更高性能、更具性价比的核心材料。
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