“2025第五届全球xEV驱动系统技术暨产业大会”将于2025年8月27-28日在上海松江召开。大会以“驱智融合·竞合共生”为主题。
截至目前，此次大会吸引了巨力自动化、中车电驱、中车时代半导体、星驱科技、智新科技、上海电驱动、芯联集成、纳芯微电子、悉智科技、富士智能、力森诺科、上海申克、远宽能源、法拉电子、菲沃泰、伟本智能、七星电子、奎克好富顿、艾华集团、鹰峰电子、杜邦（中国）、森萨塔科技、益利素勒、跃科智研、巴斯夫、川土微电子、钧联电子、艾雷激光、上海林众、优乐赛、索力德普半导体、时代智能、宏微科技、厦门宏发、基本半导体、紫光同芯、懿朵科技等优秀企业进行演讲或现场先进技术展示。
本期带来苏州纳芯微电子股份有限公司的展商介绍。
2025xEV电驱动大会
苏州纳芯微电子股份有限公司
展位号：A10
01.
公司介绍
纳芯微电子（简称纳芯微，科创板股票代码 688052）是高性能高可靠性模拟及混合信号芯片公司。自 2013 年成立以来，公司聚焦传感器、信号链、电源管理三大方向，为汽车、工业、信息通讯及消费电子等领域提供丰富的半导体产品及解决方案。
纳芯微以『“感知”“驱动”未来，共建绿色、智能、互联互通的“芯”世界』为使命，致力于为数字世界和现实世界的连接提供芯片级解决方案。
02.
核心产品介绍
集成模拟采样的智能隔离式栅极驱动器NSI6770
NSI6770 是一款智能隔离式单通道栅极驱动器，专为驱动IGBT、功率MOSFET 和SiC MOSFET 等功率晶体管而设计，提供卓越的保护功能以确保安全运行。它可提供分离输出，分别控制上升和下降时间，且支持轨到轨输出，并提供最大10A/10A 的拉灌电流能力。NSI6770 集成了全面的保护功能，包括欠压保护（UVLO）、米勒钳位（Miller Clamp）、DESAT 保护和软关断，并能通过独立引脚报告短路或欠压故障。
NSI6770 集成隔离采样功能，支持NTC 或母线电压采样，进一步提升了驱动器的集成度，简化系统设计，减少系统尺寸和成本。它具有至少150kV/μs 的共模瞬变抗扰度（CMTI），增强了系统的鲁棒性。驱动器侧的最大耐压为36V，输入侧支持3V 至5.5V 的电源电压。NSI6770 以其高驱动电流、宽电源电压范围、高CMTI 和优异的保护功能，适用于高可靠性、高功率密度和高效率的开关电源系统、逆变器等应用。
高可靠性非隔离半桥驱动器NSD1624
NSD1624是一款高压半桥栅极驱动器，能提供最大4A/6A的拉灌电流能力，驱动MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可应用于高达1200V母线电压系统。它拥有行业内领先的超低传播延迟，低静态电流，耐负压能力强、高dv/dt抗扰度等特性。
该器件可接受的供电电源输入范围宽达 10V 至 20V，并且为 VDD 和 BST 供电电源引脚提供了 UVLO 保护。 NSD1624可提供大小封装，LGA10、 SOP8、SOP14 封装，额定工作温度范围为 –40°C 至 125°C。NSD1624具有所有这些出色的功能,适用于高可靠性,功率密度和效率的开关电源系统。
第二代高性能隔离式双通道栅极驱动器NSI6602V
NSI6602V是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC，增强了抗干扰能力和驱动能力，且功耗更低，同时提高了输入侧的耐压能力。可以驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。每个通道输出可以以快速的25ns传播延迟和5ns的最大延迟匹配来提供最大6A/8A的拉灌电流能力。typical 150kV/μs的共模瞬变抗扰度(CMTI)提高系统鲁棒性。该驱动器的最大耐压为30V，而输入侧则接受3V至18V的电源供电电压。所有电源电压引脚均支持欠压锁定(UVLO)保护。同时有多个欠压点可供选择。最低欠压点支持4V, 可用于驱动GaN 功率器件。
03.
视频介绍
