赛晶科技 | 150V平台屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET产品

赛晶科技更新于: 2026-01-28 11:28:33

随着新能源汽车电驱系统与电池管理（BMS）对高效率、高可靠性功率器件需求的不断攀升，功率半导体技术正面临新一轮革新。为应对市场对更低损耗、更高功率密度解决方案的迫切需求，赛晶科技旗下子公司虹安微电子重磅推出首代 150V平台屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET产品— HAG040TN15。该产品凭借3.2mΩ的超低导通电阻与230A的强大电流能力，成为高端BMS、电驱及DC-DC转换应用领域的性能标杆。

新品发布

150V平台屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET产品— HAG040TN15

产品核心参数

产品核心特点

极致低阻设计
该150V平台产品采用先进的屏蔽栅沟槽技术，在150V电压等级下实现了75mΩ*mm2的业界领先比导通电阻能力，3.2mΩ产品对应8寸晶圆颗粒数可达950粒。这意味着在相同电流下的导通损耗大幅减少，直接提升系统整体效率，并降低温升。
采用先进封装技术
该产品采用TOLL先进封装，通过优化封装工艺，结-壳热阻Rthjc典型值低至0.21℃/W，先进的封装技术为产品提供了优异的散热通道，进而提升器件的功率输出能力。
超强电流承载能力
在25°C壳温下，连续漏极电流高达230A，脉冲电流能力更达到978A。强大的电流处理能力使其能够从容应对电驱启动、BMS主回路开关等场景中的瞬时大电流冲击，系统可靠性与鲁棒性倍增。
精准聚焦应用
超低导通电阻使得静态性能上优势明显，而在VCC=120V的母线电压短路耐量测试中，短路时间可达9μs。这对静态损耗和通态能力要求严苛的BMS（电池管理系统）与电机驱动领域提供性能支持。

产品典型应用