NE时代

近日，士兰微发布两款新一代灌封模块，MiniPack系列(BA2/BA3)和SPD模块系列(BB1)。新一代产品均采用直流侧三端子（两正一负）、激光焊工艺。相比于现有方案，新一代产品在功率密度、电流输出能力、电热耦合性能、系统集成度与长期可靠性上大幅突破，同时兼顾单体成本和系统成本优化。在更高效、更可靠的同时，更具性价比。

01.

MiniPack系列，体积缩小50%，成发电模块首选

以MiniPack系列为例，该模块采用一体式基板设计，相比同样用于发电功能的MiniHPD模块，在Y方向上减小15mm，在X方向上减小57mm，体积可降低约50%，功率密度大幅提升。三端子设计配合激光焊工艺，可以将模块杂感由11nh降低至7nh，降幅高达40%。在关键性能方面，得益于士兰微自身FS5++芯片技术加持，MiniPack系列Vcesat饱和压降优化约5%，动态损耗常温优化约25%，高温优化约20%。总损耗优化约25%，175度高温下可提升约45%有效出流。

MiniPack对比MiniHPD，来源：士兰微

从应用来看，目前发电模块主要有三个技术方向。

一是以MiniPack系列为代表的新一代封装技术。目前国内头部电控企业联合动力在其新一代混动专用双电机控制器（PD59）中已经应用。根据介绍PD59发电峰值电流为190Arms~350Arms@480Vdc、180Arms~220Arms@800Vdc。

联合动力PD59控制器示意图，图源：联合动力

另一头部电控企业臻驱科技也以发布同类产品。其SlimPACK II能够在200度结温下连续运行，支持750V平台和1200V电压平台，提供最高650 Arms的输出能力，基板尺寸为100 x 75.5 mm，杂散电感最低至6nH。

部分整车模块企业出于自身高定制化的需求，在此基础上也会额外集成升压模块，提升整体集成度。

二是以理想&中车时代半导体为代表的XPM模块。该模块的特点在将发电模块与驱动模块在同一框架下实现集成，不过发电模块依然采用士兰微MiniPack系列的一体化基板设计。根据理想汽车介绍，采用XPM之后，总长度降低38%，IGBT面积降低50%，FRD芯片面积降低33%，芯片总面积降低超过45%。

联想汽车&中车时代半导体XPM，图源：理想汽车

三是采用TPAK为代表的分立器件技术路线。目前阳光电动力、星驱科技、联合电子等头部Tier1均有此方案。相比上述两种方案，得益于TPAK的标准化，该方案灵活性更高，可灵活集成发电、驱动、升压功能。

联合电子TPAK控制器，图源：联合电子

在TPAK的标准化分立器件路线中，还有博格华纳基于自身Viper的方案和致瞻科技提出的ZPAK半桥模块方案。目前致瞻科技ZPAK已经在北汽新能源增程车型中实现量产。

致瞻科技ZPAK方案，图源：致瞻科技

值得一提的是，士兰微TPAK产品目前已经为包括阳光电动力、联合电子在内的多家Tier1客户实现大规模出货。同时，士兰微在致瞻科技ZPAK开发应用中亦有所贡献（士兰微也为致瞻科技重要投资方之一）。因此，士兰微在混动双电控方案中可以提供极其丰富的产品组合，如BA2/BA3+BB1、TPAK、ZPAK，以及TPAK和ZPAK的混合方案。

从应用来看，以MiniPack系列为代表的新一代发电模块更受市场欢迎。目前已经有包括英飞凌、芯联集成、瑞迪微、中车时代半导体等多家模块企业发布同类产品。对比TPAK唯一不足的是其灵活性，尤其是面对升压功能时，需额外增加模块单元。

从功率范围来看，该模块可覆盖100kW以下的功率需求，除IGBT外，还可支持碳化硅芯片。

MiniPack系列同类模块实拍图，图源：NE时代

芯联集成HD12系列，图源：芯联集成

02.

IDM产业闭环优势凸显

模块技术的升级通常与芯片技术的升级共同发生。以MiniPack系列为例，模块缩小意味着芯片的用量也会减少，单个芯片的出流能力就需要随之提升，以维持同等的出流能力。

因此新一代模块技术的升级离不开芯片技术的升级。对于传统模块企业而言，就需要与头部芯片企业紧密合作，如臻驱科技与英飞凌长期保持良好的合作关系，同时也是英飞凌最新IGBT芯片EDT3的首批用户之一。

而作为IDM的士兰微、中车时代半导体和芯联集成而言，由于芯片产品更多来自内部生产，因此新一代模块产品的性能除模块能力外，还意味着芯片能力的提升。

本次MiniPack系列所采用的FS5++芯片产品由士兰微自主研发、生产，在2024年推出。FS5++首先提高了产品的电参，优化导通损耗和开关损耗。其次提升长期稳定运行的结温。后续，士兰微将继续推出IGBT升级产品，FS6和FS6+。

在产品丰富度和产品性能之外，士兰微庞大的芯片+模块产能为客户大规模应用提供保障。

目前功率器件和模块产品在成都工厂生产，2024年成都工厂功率器件产能为12.3亿颗/年，功率模块产能为4亿颗/年。2025年，士兰微启动成都汽车半导体二期封装厂房（四厂）建设，车规产能进一步扩大。

芯片产品在厦门工厂生产，包括IGBT、6英寸SIC、8英寸SIC和12英寸高端模拟芯片产品。2024年，12英寸硅基芯片产能达6万片/月。截至2026年2月，6英寸碳化硅已形成1万片/月产能，后续将扩建至1.2万片/月。8英寸碳化硅产能目前已经通线，一期将在2026至2028年实现爬坡，达到3.5万片/月产能。后续二期投产后将形成6万片/月产能。