目前以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体已经在各个行业实现了大规模的应用。随着技术的发展，第四代半导体的方向也已经明确。在功率半导体方面，突出的表现在于超宽的带隙和大击穿场强，意味着可以承受的电压更高。代表的技术有氮化铝 (AIN)、氧化镓(Ga2O3)、金刚石（Diamond）和氮化硼（BN）。
既然已经有技术方向，后续的工作便是基于这些方向进行技术实现和工程应用。镓仁半导体便是其中的一员。
镓仁半导体的产品是氧化镓方向，当前主要提供衬底产品。
昨日，根据镓仁半导体官微公示，其首次采用垂直布里奇曼（VB）法成功生长出4英寸氧化镓单晶，同时这也是国内首次突破该技术。
镓仁半导体VB法4英寸氧化镓单晶底面
同时，本次镓仁半导体采用的是细籽晶诱导+锥面放肩生长技术。与另外一种生长技术相比，即无籽晶自发成核和等径籽晶技术相比，更容易确保晶体质量（我不懂，下次去请教）。
在细籽晶诱导+锥面放肩生长技术中，籽晶与晶体轴向平行于（010）氧化镓晶向，可加工4英寸（010）氧化镓面衬底。
镓仁半导体所采用的细籽晶诱导+锥面放肩生长技术由来已久，在2英寸阶段，便经历了从等径籽晶生长到细籽晶诱导+锥面放肩技术生长的研发过程，最终确定了细籽晶诱导+锥面放肩的路线，实现了4英寸单晶生长的突破。
根据镓仁半导体介绍，VB法在氧化镓单晶生产方面有着显著优势。海外企业均已开始布局
当然，氧化镓最终工程化应用还需时日。镓仁半导体也提到，当前晶圆级（010）氧化镓产品主要面向科研市场。
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