【NE快讯】舍弗勒新一代同轴减速器与冲压焊接差速器在太仓投产；英飞凌推出首款100V车规级晶体管；镓仁半导体晶面氧化镓衬底发布

NE时代新能源阅读: 2396更新于: 2025-11-11 09:54:26

01.

舍弗勒新一代同轴减速器与冲压焊接差速器在太仓投产

近日，舍弗勒新一代同轴减速器及冲压焊接差速器在太仓制造基地量产，此次推出的新一代同轴减速器包含单同轴减速器与分布式同轴减速器两款产品，可适配集成式、分布式等不同路径的驱动方案。

两款产品均采用高紧凑设计：单同轴减速器集成了锥齿轮差速器和冲压差壳，分布式减速器则采用了冲压焊接行星架，使得减速器尺寸进一步减小，让集成空间更加灵活。在重量方面，通过采用镁合金材料与结构创新，新一代产品成功“瘦身”，重量减轻1Kg。效率也更上层楼，单同轴与分布式减速器最高效率直达98.7%与99%，助力降低整车能耗，提升续航里程。同时通过业内首创的内齿绗工艺，和实时的设备振动监控管控鬼阶，使NVH性能相比上一代改善2~5dB(A)，有效降低减速器振动和噪声，提升驾乘舒适性。

此外，舍弗勒还针对性地开发了一款冲压焊接差速器，通过优化扭矩传递路径、使用冷压钢板冲压外壳，有效解决了差速器的“超重”问题。目前，该产品已运用于国内外多家领先的新能源品牌车型。

目前，舍弗勒同轴减速器累计产量已超过100万台，且现有年产能可达85万套，为国内主要客户多扭矩平台、大批量、高可靠性的市场需求提供坚实保障。

02.

英飞凌推出首款100V车规级晶体管

近日，英飞凌正式推出CoolGaN™100V G1系列车规级晶体管，并开始提供符合AEC-Q101汽车应用标准的预量产样品，包括CoolGaN™高压（HV）车规级晶体管及多种双向开关。此举彰显了英飞凌为满足汽车行业不断变化的需求而持续提供创新解决方案的承诺——包括从适用于低压车载信息娱乐系统的新型100V GaN晶体管，到面向未来车载充电器和牵引逆变器的高压产品解决方案。

汽车领域的诸多功能，如高级驾驶辅助系统（ADAS）、新型气候控制系统及车载信息娱乐系统，需要更高的功率和更高效的功率转换解决方案，同时还要尽可能降低对电池的损耗。因此，市场对紧凑型高能效的电源解决方案的需求日益增长，而半导体材料GaN正好为这类方案提供了有力支持。相比传统的硅基器件，GaN功率器件能实现更小的尺寸、提供更高的能效，同时降低系统成本。

尤其在软件定义汽车从12V向48V系统转型的过程中，基于GaN的功率转换系统不仅能提升性能，还可支持线控转向、实时底盘控制等先进功能，极大改善驾乘舒适性与操控性。英飞凌新款CoolGaN™ 100V晶体管系列凭借高能效和小尺寸优势，非常适用于区域控制和主DC-DC转换器、高性能辅助系统及D类音频放大器等应用场景。

03.

镓仁半导体晶面氧化镓衬底发布

近日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）正式推出（011）晶面氧化镓衬底片新品，持续为产业突破提供核心支撑。新品β-Ga2O3（011）晶面衬底片可提供10mm*10.5mm及10mm*15mm两种精准尺寸，短边定位 [100] 晶向，带来更稳定的器件制备基础。

10mm*10.5mm尺寸（011）晶面衬底在XRD检测中双曲线摇摆曲线半高宽仅为32.1arc sec,晶体取向分布集中；峰位为35.29°，非常接近理论值35.148°。产品以优异表现从根源上保障器件长期运行稳定性。