新品发布！镓仁半导体 “SCIENCE系列” 科研级VB法长晶设备，赋能氧化镓研究新突破！

镓仁半导体更新于: 2025-12-10 10:06:25

在第四代半导体产业高速发展的浪潮中，氧化镓作为超宽禁带半导体的核心材料正成为高校院所科研攻关的重点方向。

为破解科研阶段长晶设备“适配性窄、精准度不足、操作复杂”等痛点，杭州镓仁半导体有限公司正式推出新品——“SCIENCE系列”科研级VB法长晶设备，专为2-6英寸氧化镓科研场景量身打造，以全自主核心技术助力科研工作者在长晶、掺杂、缺陷控制及材料性能优化等领域高效探索。

“SCIENCE系列”科研级VB法长晶设备现已开放新品预订，诚邀各大高校、科研机构与我们携手，共同探索氧化镓的应用潜能，共创半导体产业新价值！

科研级配置，解锁研究无限可能

“SCIENCE系列”科研级VB法长晶设备依托镓仁半导体多年氧化镓产业化技术沉淀，在稳定性、精准度和兼容性上实现三重突破，堪称科研路上的“得力搭档”。

宽尺寸适配，覆盖多元需求

可灵活满足2英寸、4英寸、6英寸氧化镓VB法单晶生长需求，无需频繁更换核心部件，适配从基础研究到中试阶段的不同场景，大幅降低科研设备投入成本。

精准调控，把控核心参数

搭载自主研发的全自动化复合测温技术和控温算法，温度控制精度达±0.1℃，确保晶体生长过程的稳定性、均匀性和一致性，显著提高生产效率和晶体质量，助力科研人员深入研究材料特性与工艺参数的关联规律。

稳定可靠，保障实验连续性

配备可视化操作界面与智能数据记录功能，实时监测长晶过程中的关键数据，减少人工操作误差，加速科研进程。设备连续运行稳定性极佳，为长时间科研实验提供坚实保障。

多项成果加持，彰显硬核实力

新品设备的发布并非偶然，而是建立在镓仁半导体在氧化镓领域的持续技术突破之上。公司凭借自主研发的VB法设备及技术，已实现6英寸氧化镓晶体与外延片的规模化制备，相关成果为科研级设备提供了成熟的技术支撑。

在VB法生长氧化镓晶体制备方面，镓仁半导体仅用一年完成从2英寸到6英寸的跨越式发展。镓仁半导体VB法生长6英寸（010）面氧化镓晶锭等径段长度超40mm，晶型纯度高、缺陷密度低，结晶质量达到国际领先水平，为下游外延生长提供了高品质基础材料。

镓仁半导体VB法6英寸

（010）面氧化镓晶锭（导电型）

镓仁半导体VB法

6英寸（010）面氧化镓晶锭等径段长度

在氧化镓同质外延领域，公司基于生长的氧化镓衬底成功实现6英寸氧化镓同质外延生长。经过检测，外延层缺陷密度低，厚度均匀性与结晶质量优异，具有良好的可控性、一致性以及适宜的电学特性，有效解决了传统异质外延存在的晶格失配问题。该成果不仅为高压功率器件的制备提出了全新方案，更验证了镓仁基于“SCIENCE系列”设备生长单晶衬底的优异性能。