加利福尼亚州托伦斯2025年5月21日讯——纳微半导体宣布推出专为超大规模AI数据中心设计的最新12kW量产电源参考设计，可适配功率密度达120kW的高功率服务器机架。
5月21日台北国际电脑展Computex期间，纳微半导体于台北举办“AI科技之夜”，正式向全球发布了这款12kW电源，并向来访观众完整介绍纳微AI数据中心电源技术路线图、双向GaNFast™氮化镓开关和全新的中压氮化镓FET产品将如何变革AI数据中心能源基建。
该12kW电源遵循ORv3规范及开放计算项目（OCP）标准，采用第三代快速碳化硅MOSFET和新型IntelliWeave™数字技术，以及配置于三相交错TP-PFC和FB-LLC拓扑结构中的高功率 GaNSafe™氮化镓功率芯片，以极简元件布局实现最高效率与性能。
三相交错TP-PFC拓扑由采用“沟槽辅助平面栅”技术的第三代快速碳化硅MOSFET驱动。依托纳微半导体超20年的碳化硅技术创新积淀，该技术在全温域下展现领先性能，支持低温升运行、快速开关及卓越鲁棒性，可为电动汽车带来更快的充电速度或让AI数据中心的功率提升3倍。
纳微半导体独家的IntelliWeave数字控制技术融合临界导通模式（CrCM）与连续导通模式（CCM）混合控制策略，覆盖轻载至满载的全工况，在保持低元件数量简洁设计的同时实现效率最大化，相较现有CCM方案的功率损耗降低 30%。
三相交错FB-LLC拓扑由纳微半导体的高功率旗舰——第四代GaNSafe氮化镓功率芯片驱动，其集成了控制、驱动、感测以及关键的保护功能，使其在高功率应用中具备了前所未有的可靠性和鲁棒性。作为全球氮化镓功率芯片的安全巅峰，GaNSafe具有短路保护（最大延迟350ns）、所有引脚均有2kV HBM ESD保护、消除负栅极驱动并具备可编程的斜率控制。所有这些功能都可通过芯片4个引脚实现，使得封装可以像一个分离的氮化镓FET一样被处理，无需额外的VCC引脚。650V的GaNSafe提供TOLL与TOLT封装，适用于1kW至22kW的应用场景，RDS (ON)典型值范围为18mΩ至70mΩ。
该电源的尺寸为790×73.5×40mm，输入电压范围180–305VAC，输出最高电压为50VDC。当输入电压高于207VAC时输出12kW功率，低于该阈值时输出10kW。其配备主动均流功能及过流、过压、欠压、过热保护机制，可在-5至45℃温度范围内正常运行，12kW负载下保持时间达20ms，浪涌电流为稳态电流3倍（持续时间<20ms），采用内部风扇散热。
沪公网安备31010702008139