01.
首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线
9月26日，首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线，至此，浙江晶瑞SuperSiC真正实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发，100%国产化。
相较于8英寸产品，12英寸产品单片晶圆芯片产出量增加约2.5倍，能够在大规模生产中显著减少长晶、加工、抛光等环节的单位成本，是大幅降低下游应用成本的关键路径。
浙江晶瑞SuperSiC此次贯通的中试线，覆盖了晶体加工，切割，减薄，倒角，研磨，抛光，清洗，检测的全流程工艺，所有环节均采用国产设备与自主技术，高精密减薄机、倒角机、双面精密研磨机等核心加工设备更是由公司历时多年自研攻关完成，性能指标达到行业领先水平。自此，晶盛机电正式形成了12英寸SiC衬底从装备到材料的完整闭环，彻底解决了关键装备“卡脖子”风险，为下游产业提供了成本与效率的新基准。
02.
清华团队突破固态电池难题
近日，清华大学化工系张强教授团队在锂电池聚合物电解质研究领域取得重大突破，相关成果已发表于《自然》杂志。该团队针对固态电池面临的两大难题——界面接触差和电解质兼容性问题，提出了“富阴离子溶剂化结构”设计新策略，并成功开发出新型含氟聚醚电解质。这种电解质通过热引发原位聚合技术，增强了固态界面的物理接触与离子传导能力，同时显著提升了锂电池的耐高压性能和界面稳定性。
采用该电解质的富锂锰基聚合物电池在实际性能测试中表现突出，8.96Ah聚合物软包全电池在1MPa外压下能量密度达到604Wh/kg，远超当前商业化电池水平，预示着未来电动车续航里程的大幅提升。此外，该电池在满充状态下顺利通过了针刺与120摄氏度热箱安全测试，未出现燃烧或爆炸现象，打破了高能量密度与高安全性难以兼顾的行业困境。行业人士认为，若能进一步降低成本、优化量产工艺，这一技术有望引领锂电池行业进入新的发展阶段。
03.
英飞凌与罗姆携手推进SiC功率器件封装兼容性
英飞凌9月25日宣布，与罗姆就建立SiC功率器件封装合作机制签署了备忘录。双方旨在对应用于车载充电器、太阳能发电、储能系统及AI数据中心等领域的SiC功率器件封装展开合作，推动彼此成为SiC功率器件特定封装的第二供应商。
未来，客户可同时从英飞凌与罗姆采购兼容封装的产品，既能灵活满足客户的各类应用需求，亦可轻松实现产品切换。此次合作将显著提升客户在设计与采购环节的便利性。
作为此次合作的一部分，罗姆将采用英飞凌创新的SiC顶部散热平台（包括TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual和H-DPAK封装）。该平台将所有封装统一为2.3mm的标准化高度，不仅简化设计流程、降低散热系统成本，更能有效利用基板空间，功率密度提升幅度最高可达两倍。
同时，英飞凌将采用罗姆的半桥结构SiC模块“DOT-247”，并开发兼容封装。这将使英飞凌新发布的Double TO-247 IGBT产品组合新增SiC半桥解决方案。罗姆先进的DOT-247封装相比传统分立器件封装，可实现更高功率密度与设计自由度。其采用将两个TO-247封装连接的独特结构，较TO-247封装降低约15%的热阻和50%的电感。凭借这些特性，该封装的功率密度达到TO-247封装的2.3倍。
英飞凌与罗姆计划未来扩大合作范围，将涵盖采用硅基及碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带功率技术的更多封装形式。此举也将进一步深化双方的合作关系，为客户提供更广泛的解决方案与采购选择。
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