NE时代

近日，忱芯科技自主研发的SiC MOSFET S-Cell KGD测试系统正式交付客户。该设备专为嵌埋式PCB封装中S-Cell（Standard Cell）单元的应用前筛选设计，可在S-Cell集成至功率PCB之前完成全额定条件下的参数测试与良率筛选，从源头避免不良单元流入后续工序所导致的整块PCB报废风险，助力客户降本增效。

行业背景

随着新能源汽车、数据中心、光伏等产业对功率密度与系统集成度的要求持续攀升，嵌埋式PCB封装技术正成为行业突破方向。S-Cell作为该领域的核心标准化功率单元，凭借其低寄生电感、优异热管理性能及高系统集成灵活性，充分释放SiC宽禁带半导体性能，已在车规级功率电子系统中展现出巨大潜力并逐步获得应用。

S‑Cell采用“先测试、后嵌埋”架构，参考行业实践，在嵌入PCB前完成全项电气测试，可有效提升模块级良率，减少“单点失效导致整板报废”的高额损耗。然而，传统测试方案难以适配S‑Cell小尺寸、低杂散电感、高速开关的产品特性，且缺乏有效的探针保护与智能清洁机制，成为规模化量产的核心瓶颈。立足多年功率半导体测试技术积淀，忱芯科技成功研发并交付了S-Cell测试系统，为S-Cell封装前置测试提供可靠保障。

核心亮点

忱芯科技SiC MOSFET S-Cell KGD测试系统针对S‑Cell结构特性与嵌埋前置测试场景完成专项适配优化，具备多项技术优势：

01

高精度测试与全面兼容

系统覆盖6项基础静态参数、Rg/Cg与电感量测试，具备pA级电流源精度、mV级电压源精度、μΩ级电阻测量精度以及pF级电容测量精度，能够满足宽禁带半导体对微弱漏电、低阻值及小电容量的严苛分辨需求。在重复性方面，高压漏电流测试重复性偏差小于2.5%，大电流测试重复性偏差小于0.5%，测试结果可信、有效。同时，可兼容SiC MOSFET、Si IGBT，并可支持从晶圆级多工位到单管、不同封装功率模块的测试，实现功能全覆盖与高性价比。

02

极低杂散电感与超快速多重保护

采用极低杂散电感设计，支持面向应用的全额定条件测试，能够实现更小的漏源电压尖峰和短路时更小的电压跌落，过流保护速度更快，筛选效果更强。配备探针接触检测、探针过流保护及主功率保护等多重保护方案，保护时间约为110ns，最大限度减少socket与pin的损坏。

03

智能探针清洁与先进Handler方案

依托超快速保护电路从源头减少探针异常损耗、降低清洁频次；搭配自研Handler级智能数据分析平台，依靠数据测算最优清洁时机；配备上下socket自动清洁功能，结合在线原位清洁技术，可精准控制清洁角度与力度，避免过度清洁。产能方面，采用第二代可扩展Handler架构，测试站可自由配置，满足从验证到大规模量产的高节拍需求。

04

灵活部署与完备安全保障

支持手动测试与自动测试模式切换：手动模式下可选择单项进行测试，自动模式下可执行批量重复性测试。此外，整机采用尺寸紧凑的模块化结构，可快速对接现有自动化产线，帮助客户高效利用厂房空间，实现快速部署与产能爬坡。配置急停按钮、停电保护、报警指示灯及连续缺陷报警等安全机制，保障产线连续稳定运行。

此次SiC MOSFET S-Cell KGD测试系统的顺利交付，标志着忱芯科技在嵌埋式封装前置测试领域取得了关键突破，为业界带来了高可靠、高效率的器件集成前筛选方案。未来，忱芯科技将继续创新功率半导体测试技术，与产业链伙伴紧密协作，共同推动嵌埋式功率电子技术的发展与广泛应用。