NE时代

近日，忱芯科技新一代SiC MOSFET功率模块DRB测试系统顺利交付客户。全新架构叠加液冷散热方案，全方位攻克传统测试设备性能短板，为硅基、宽禁带功率器件提供高精度、高耐久、高效率加速可靠性验证方案。

本次交付机型配备液冷散热方案，高效带走长时间老化测试产生的热量，持续稳定设备运行工况，大幅提升连续测试通量，缩短器件验证周期，帮助客户压缩研发迭代时长，抢先上市。

核心亮点

全新一代DRB可靠性测试系统彻底突破传统测试平台频率性能瓶颈：针对 HPD 类功率模块可稳定实现高频动态测试，分立器件工况下支持超高频高速驱动输出，覆盖宽禁带、硅基全品类器件加速可靠性验证需求。

01

集成式一体化板卡配电架构（对标 AIDC 标准机架供电体系）

整机采用统一三相集中进线，全功率单元集成化板卡布局，替代传统分立式多路独立供电方案，整机布线更简洁，多路输出同步误差更低，电磁干扰抑制能力大幅提升。

02

全频段宽范围驱动能力，打破传统频率限制

供电带宽全面升级: 适配SiC功率模块高频动态DRB测试；分立器件场景支持超高频驱动输出，完整覆盖新一代功率器件高频动态偏置可靠性验证场景。

03

长效稳定测试适配性优化

一体化集中配电架构弱化多路电源间耦合干扰，高低压输出波形精度更高，连续耐久测试下数据一致性优异，设备可长时间满负载稳定运行，支持多通道同步并行测试拓展。

依托高效液冷散热方案与整机架构创新，忱芯新一代SiC MOSFET功率模块DRB测试系统兼顾测试精度、长期稳定性与测试效率，全面匹配大规模产业化发展需求。

未来，忱芯科技将持续深耕功率半导体测试赛道，以国产化高端测试装备，助力国内功率器件企业筑牢产品可靠性壁垒。