NE时代

光导开关是一种通过激光脉冲控制导通与关断的光电器件，在脉冲功率领域前景广阔，其性能高度依赖衬底材料的耐压能力、暗态绝缘性与光响应特性。氧化镓作为第四代超宽禁带半导体，禁带宽度约4.8 eV，击穿场强可达8 MV/cm，与光导开关的应用需求高度契合。瞄准这一方向，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）依托自研铸造法长晶技术，推出光导开关专用氧化镓半绝缘定制衬底，为超高压、超快响应光导器件研制提供坚实的材料保障。目前该产品产能丰富，现货供应。

半绝缘衬底片技术亮点

一、晶体质量优异，衬底表面平整。经XRD摇摆曲线测试，衬底半高宽低至29 arcsec，结晶完整性良好，缺陷密度低；AFM测得表面粗糙度仅0.140 nm，达原子级平整，可满足器件制备对衬底表面质量的严苛要求，为高质量器件研制奠定坚实基础。

图1 镓仁半导体半绝缘衬底XRD摇摆曲线测试结果

图2 镓仁半导体半绝缘衬底AFM测试结果

二、电阻率表现突出，关断性能优异。衬底电阻率大于1×1011 Ω·cm，半绝缘特性优异，可有效抑制暗态漏电流，保障器件在关态下承受高电压、维持低漏电，为实现高开关比与快速关断提供关键材料支撑。

图3 镓仁半导体半绝缘衬底电阻率测试结果

三、器件实测验证，核心指标国际领先。基于镓仁半导体的半绝缘衬底，深圳平湖实验室团队研制的Mg掺杂垂直结构光导开关，实测击穿场强达220 kV/cm以上，开关比达1×10¹¹ 量级，击穿电压突破10000 V，动态导通电阻低于10 Ω，关断时间小于1 ns，多项指标跻身国际领先行列。器件端的出色表现，充分印证了衬底的高品质与可靠性。

图4 Mg掺杂氧化镓光导开关结构及特性

（图源深圳平湖实验室）

产品规格

图5 镓仁半导体衬底产品矩阵

掺杂方案、衬底尺寸、晶面取向等关键参数均可按需定制，适配不同耐压等级与响应速度要求。如需进一步了解产品细节，欢迎咨询本公司销售与技术支持团队。

器件性能的每一次跃升，都源于底层材料的关键突破。此次发布光导开关专用氧化镓半绝缘定制衬底，是镓仁半导体在脉冲功率应用领域的关键布局，为国内超高压光导器件的研发提供了稳定可控且可灵活定制的国产衬底方案。目前该产品已正式开售，产能丰富，我们诚邀合作伙伴携手同行，共同推动氧化镓光导开关从材料创新走向器件应用，从技术突破走向产业成熟。