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◎舍弗勒推出新一代氮化镓车载电源平台

◎Stellantis同意将Free2move汽车共享业务出售给Mutares

◎镓仁发布光导开关用氧化镓半绝缘衬底

01.

舍弗勒推出新一代氮化镓车载电源平台

近日，舍弗勒发布新一代全球车载电源平台，涵盖双向氮化镓矩阵变换器单级拓扑OBC平台和氮化镓DCDC平台，重点提升车载电源的转换效率、功率密度及系统集成能力。

新一代OBC平台采用双向氮化镓器件和矩阵变换器单级拓扑，取消母线电容，覆盖7kW、11kW、15.4kW及22kW等功率等级。据舍弗勒介绍，与传统两级式OBC相比，该方案可减少元器件数量和PCB面积，成本降低约8%。其中，面向中国市场的7kW OBC与DCDC二合一模块，峰值效率超过98%，功率密度超过7kW/L，重量小于3.3kg、高度小于35mm，计划于2027年实现工业化。

同期发布的氮化镓DCDC平台峰值效率超过97%，可适配12V和48V输出，并沿用统一的结构及软件平台。该产品主要面向电驱多合一集成、高阶智能驾驶冗余供电以及混合动力车型等应用，最高支持ASIL D功能安全等级。

目前，面向欧美市场的11kW和22kW版本正在开发测试。舍弗勒表示，将依托全球研发与制造体系，推进新一代车载电源平台在不同电网标准和整车架构中的应用。

02.

Stellantis同意将Free2move汽车共享业务出售给Mutares

近日，Stellantis集团和Mutares SE&Co.KGaA（下称“Mutares”，ISIN：DE000A2NB650）宣布达成协议：将Stellantis集团Free2move的汽车共享业务全部股权出售给Mutares。取决于惯例成交条件，本交易预计将于2026年年底完成。

此次出售的Free2move业务提供短期和长期的“随借随还”汽车共享服务，用户可通过专用手机应用程序实现24小时全天候预订。其运营平台是地理覆盖最广泛的共享平台之一，车队遍布欧洲和美国的14个城市。

该交易是Stellantis集团“FaSTLAne 2030战略规划”的一部分，旨在通过严格有序的资本配置，将投资和资源集中于能产生最大回报的核心汽车业务区域、品牌和技术。

Stellantis集团商务拓展及合作关系负责人Virgilio Cerutti表示：“我们通过强化对核心汽车业务的关注，提升了自身创造长期价值的能力。我们将与所有利益相关方紧密合作，以帮助客户、合作伙伴及员工顺利完成过渡阶段。”

对于收购方Mutares而言，此举标志着其在移动出行领域建立了一个新平台。Mutares首席投资官Johannes Laumann指出，Free2move拥有强大的国际品牌影响力，作为独立实体后将受益于更高的敏捷性和专项投资，有助于其在竞争激烈的市场中释放增长潜力。

Mutares计划对Free2move的国际车队管理进行变革，继续向纯电动汽车过渡，并重新关注客户体验及市政当局的城市移动出行需求。

Stellantis集团强调，在整个交易过程中，将把客户、合作伙伴和员工的平稳延续置于优先地位。此次剥离符合其战略聚焦的方向，而Free2move的汽车共享业务则有望在新东家旗下获得独立发展的新机遇。

03.

镓仁发布光导开关用氧化镓半绝缘衬底

近日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）依托自研铸造法长晶技术，推出光导开关专用氧化镓半绝缘定制衬底，为超高压、超快响应光导器件研制提供坚实的材料保障。目前该产品产能丰富，现货供应。

光导开关是一种通过激光脉冲控制导通与关断的光电器件，广泛应用于高能物理、国防军工、电力电子等脉冲功率场景，其性能表现直接取决于衬底材料的耐压能力、暗态绝缘性与光响应特性。作为第四代超宽禁带半导体的代表材料，氧化镓禁带宽度约4.8 eV，理论击穿场强可达8 MV/cm，与光导开关的应用需求高度契合。

此次镓仁半导体推出的专用衬底，依托公司自研的铸造法长晶技术打造，三大核心指标达到行业领先水平：

晶体质量优异：经XRD摇摆曲线测试，衬底半高宽低至29 arcsec，结晶完整性良好、缺陷密度低；AFM测试显示表面粗糙度仅0.140 nm，达原子级平整，可满足高端器件制备对衬底表面的严苛要求。

绝缘性能突出：衬底电阻率大于1×10¹¹ Ω·cm，半绝缘特性优异，可有效抑制暗态漏电流，保障器件关态下承受高电压、维持低漏电，为高开关比与快速关断提供关键支撑。

器件验证亮眼：基于该衬底，深圳平湖实验室团队研制的Mg掺杂垂直结构光导开关实测表现优异：击穿场强达220 kV/cm以上，开关比达1×10¹¹量级，击穿电压突破10000 V，动态导通电阻低于10 Ω，关断时间小于1 ns，多项指标跻身国际领先行列，充分验证了衬底的高品质与可靠性。

在产品适配性方面，镓仁半导体该系列衬底支持全参数定制：覆盖(100)、(010)、(001)、(011)、(-201)等多晶面，可提供2-8英寸圆片及10mm×10.5mm方片等多种规格，掺杂方案涵盖UID、Sn、Mg/Fe等多种类型，斜切角度也可按需调整，可灵活匹配不同耐压等级、响应速度的器件研发需求。

“器件性能的跃升，根源在于底层材料的突破。”镓仁半导体相关负责人表示，此次新品发布是公司布局脉冲功率应用领域的关键一步，将为国内超高压光导器件研发提供稳定可控、灵活定制的国产衬底方案，推动氧化镓光导开关从材料创新加速走向产业落地。

作为全球氧化镓赛道的头部企业，镓仁半导体已构建起“设备-晶体-衬底-外延”全链条产品体系，核心产品包括国际首发的8英寸氧化镓单晶衬底、8英寸氧化镓同质外延片，以及自主研制的氧化镓垂直布里奇曼法（VB法）长晶设备等，相关成果已获人民日报、新华社、科技日报等权威媒体专题报道。