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◎德州仪器与威迈斯签署谅解备忘录

◎芯粤能第二代1400V碳化硅主驱芯片和模块正式量产

◎镓仁半导体实现12英寸氧化镓晶体等径生长

01.

德州仪器与威迈斯签署谅解备忘录

近日，德州仪器（TI）与威迈斯（Vmax）正式签署谅解备忘录（MOU），双方合作从新能源汽车领域的项目协同，拓展为覆盖新能源汽车领域和AI领域的多赛道合作。

在新能源汽车领域的合作中，Vmax 通过引入 TI 新一代 64 位 F29H859DU-Q1 MCU 平台，实现了以单颗 MCU 同时控制 6.6kW OBC 与 3.5kW DC/DC 两个功率转换级。这种单芯片控制架构不仅显著降低了系统复杂度，减少了控制器数量及外围电路，还为缩小 PCB 尺寸和减轻系统重量创造了条件。

此外，该方案还支持 V2L（车对外放电）双向能量流动，并结合增强型隔离技术及相关文档以满足 ASIL-B 功能安全标准，为下一代车载电源架构提供了精简、可靠且具备双向能量管理能力的控制路径。

在应对 AI 与数据中心持续增长的趋势背景下，TI 将携手 Vmax 加强在 AIDC 方面的合作。TI 将充分发挥在 MCU 以及模拟器件（特别是 GaN 器件）方面的优势，与 Vmax 合作交付更高效率、更小体积的 AIDC 电源解决方案，共同助力 AI 基础设施供电架构的升级。

此次合作，体现了双方依托市场、技术、产业规模优势，针对不同应用场景交付解决方案的理念，旨在加速前沿技术落地，共同助力新能源汽车动力系统与 AI 基础设施的创新迭代。

02.

芯粤能第二代1400V碳化硅主驱芯片和模块正式量产

近日，芯粤能第二代1400V碳化硅MOSFET主驱芯片+芯聚能功率模块完成“芯片+模组”协同设计，获客户定点并进入小批量交付。

面向900V及以上电驱平台，芯粤能坚持以满足整车电驱客户真实需求为导向，将1400V作为原生设计目标，实际击穿电压典型值约1700V、累计高温偏置应力考核达2000小时、比导通电阻较上一代再降29%。

本次量产的第二代1400V碳化硅芯片，针对车载高压、高频极限工况完成全方位性能优化。

基于“芯片设计制造+模块封装”的双向赋能差异化优势，芯粤能联手芯聚能从芯片布局到封装结构同步完成迭代：精细化多芯片并联布局与均流设计，实现芯片均匀分流，让芯片原生极限性能，完整转化为整车实际体验；极致优化封装结构，降低杂散电感与热阻、提升全域散热能力，大幅减少高频工况开关损耗。

依托“量产一代、储备一代、预研N代”的技术迭代体系，芯粤能已搭建起分层式技术迭代机制，携手芯聚能完成覆盖多电压等级、多技术路线协同推进的全维度技术储备。

芯粤能联合芯聚能开发的第三代全系列芯片，元胞特征尺寸下降31%，比导通电阻（Rsp）下降20%，依托芯聚能模组，在乘用车领域已获多家车企主驱项目意向定点，配套版图持续扩容。

前沿布局层面，芯粤能已完成2-3kV高压、JFET、沟槽MOSFET、超结MOSFET等全维度工艺平台布局和开发，持续支持新能源汽车、AI数据中心、工业电源、光伏储能、智能电网、消费电子等各领域多应用场景客户需求。

03.

镓仁半导体实现12英寸氧化镓晶体等径生长

近日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）基于自主研发的SCIENCE系列VB法长晶设备，全球首次实现12英寸氧化镓晶体等径生长。这是继全球首发8英寸氧化镓衬底及同质外延片之后，公司在大尺寸氧化镓材料领域的又一重要进展。

等径生长是晶体走向产业化的重要一步。只有形成直径恒定的等径段，晶锭才具备连续稳定、可直接用于切磨加工的有效部分。等径段越厚，单根晶锭可切割出的合格衬底片越多，单片衬底的成本就越低。同时，12英寸氧化镓衬底与主流硅产线兼容度高，可大幅降低下游的设备投资和产线切换成本，缩短研发周期。这标志着镓仁半导体在“做大”与“做厚”两个维度上取得同步突破，为氧化镓衬底的进一步降本提供可能。

VB法是一种“锅内”生长技术，熔体在固液界面处自下而上逐层凝固，整埚熔体定向结晶为单晶。VB法被视为大规模制备氧化镓的理想方法之一，具有多重优势。晶体在封闭坩埚内一次成型，流程简便且无需复杂操作，晶向选择自由度更高；坩埚可有效抑制氧化镓各向异性诱发的位错、孪晶等缺陷，生长良率更高；同时热场稳定、运行成本低。然而，将原理优势转化为12英寸晶体的等径生长并非易事，实际生长中面临热场与工艺匹配等诸多难题。镓仁半导体自研的SCIENCE系列VB法长晶设备温控精度达±0.1 ℃，具备“设备+工艺包”一体化能力，系统解决上述难题，实现了从2英寸到12英寸晶体的快速迭代。目前，该设备已销售交付多家重要客户，以稳定可靠的性能获得客户与市场的广泛好评，并荣获CSPSD“优秀市场表现奖”。