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OBC在缩量,GaN为什么还在往里挤?

2026 年上半年,中国新能源乘用车 OBC 装机量 449 万套,同比下降 13.21%(据 NE 时代统计)。

市场在缩量,GaN 的方案却一个接一个量产装车,渗透率从 2025 年的约 6% 升向 2026 年的约 12%(IIM 口径)。

缩量和换代同时发生,这本身就是 OBC 这个环节最值得琢磨的事。

先看一个反直觉的现象。OBC 装机量在跌,跌的原因是集成,单体产品正在被多合一电驱吸收。

但就在这个缩量市场里,功率半导体的换代比过去五年任何时候都快。三年前,400V 平台的 OBC 里是硅基器件的天下,SiC 正跟着 800V 平台起量。

2026 年拆开一台新车,SiC 已是中高端 OBC 的标配,GaN 则挤进了增长最快的增量名单。

说 GaN 占了主位为时过早,说它是这一年最锋利的增量,不为过。

SiC 和 GaN 在车上的分界线,从来不是材料性能画出来的,是系统成本结构画出来的。这篇就讲这条线怎么画出来的。

01.

装机量在下滑,技术却在换代

据 NE 时代统计,2025 年全年国内 OBC 装机 1221 万套,同比增长17.17%;2026 年上半年 449 万套,同比掉了 13.21%。

单件产品市场在收缩,因为它正被多合一电驱吸收。

OBC 是进多合一电驱的入场券,没有 OBC 能力,就拿不到主流车企的平台订单。

市场在缩,技术的动作反而更大。2025 年之后,单级拓扑加 GaN 成了行业公认的关键突破,器件、拓扑和软件架构开始高度复用。

这不是某家厂商的选择,是行业级转向。

为什么缩量市场里反而要换技术?因为 OBC 的体积空间和毛利空间都被压缩,只有换架构才能把成本打下来。

量缩了,单价和毛利更要守住,这是头部 Tier1 换上 GaN 的真实动机。

02.

1000 元降到 700 元,钱省在哪了

GaN 上 OBC 最大的推动力是成本,不是性能。这是理解这轮换代的前提。

先算 BOM 这一本账。浙江大学王正仕副教授的演讲数据,传统两级式二合一,6.6kW OBC 加 3.3kW DC-DC,BOM 约 1000 元,改成单级拓扑加双向 GaN 后降到 700 到 800 元,降幅两到三成。

在整车成本战里,两到三成是决定性的。

钱省在拓扑重构上。单级拓扑省掉一级 Boost 变换,BOM 里少了一整套功率级、驱动电路、磁件和散热。

镓未来的原话是减少一级 Boost 变换、损耗降低 30%,注意这个 30% 说的是省掉的那一级,不是整机效率。

再算体积这一本账。GaN 的开关频率能跑到几百 kHz,频率翻上去,变压器和电感直接缩小,而磁件正是 OBC 体积成本的大头。

联合电子是现成的样本。单级 GaN OBC 整机体积压到 1.47L,比上代两级式方案小了 34%,功率密度做到 6.8kW/L(纯 OBC 口径)。

阳光电动力是另一种形态,同样是单级拓扑加 GaN 器件。6.6kW OBC 加 3kW DC-DC 二合一,功率密度 6.1kW/L,全电压充电效率 96.2%。

一个纯 OBC、一个二合一,口径不同,但单级 GaN 都把功率密度抬上了 6kW/L 的台阶。

体积做小,对应的是材料成本,这是 BOM 之外的第二笔钱。

这笔账为什么这两年才成立?特斯拉 CyberTruck 2023 年就用单级矩阵变换器拓扑做 OBC,4 颗 SiC 两串两并拼出一个双向开关,先去掉了母线电容。

当时只能拿 SiC 硬拼,一颗双向 GaN 替代 4 颗 SiC 的账,是这两年才成立的。

省的不是换管子,是换架构。这句话决定了 GaN 在 OBC 的竞争是系统级的,SiC 厂商若只靠器件降价回应,很难赢下这一局,所以安森美、英飞凌也在跟着做单级拓扑和混合结构。

03.

从首发到排队,谁先上了车?

这条技术路线的落地速度,比很多人预期快。

2024 年 10 月,长安发布全球首个商业化 GaN 车载 OBC 技术平台,率先搭载启源 E07,器件用的是纳微 GaNSafe。

这是 GaN OBC 首次量产装车。

真正把节奏带起来的是 2025 年。

7 月,欣锐科技发布锐虎第 9 代平台,双向 GaN 单级矩阵变换器拓扑实现行业首次量产,6.6kW 和 11kW 同平台复用,尺寸缩小 30%,功率密度做到 5 到 6kW/L,还内嵌 12V 和 48V 双 DC-DC。

年底,联合动力和英诺赛科合作的 650V GaN 6.6kW 二合一在长安装车,功率密度 4.8kW/L,减重 20%。

联合电子走的是另一条路,单级拓扑加原边 GaN 副边 SiC,支持 400V 到 800V 无缝切换,一套方案适配混动和纯电。

同一年里,三条技术表达同时在车上落地。

2026 年,单级拓扑往大功率这级走。

英飞凌的 650V CoolGaN BDS 和 22kW 双向 GaN OBC 参考设计,把 GaN 单级的舞台从 6.6kW 一路铺到 22kW。

海外 Tier1 也站到了这条线上。2026 年 7 月底,舍弗勒发布新一代全球车载电源平台,双向 GaN 矩阵变换器单级拓扑,覆盖 7kW 到 22kW,取消母线电容。

同一张牌,打法不同。欣锐科技 2025 年 7 月量产在先,舍弗勒走全球平台路线,面向中国市场的 7kW 二合一计划 2027 年工业化,11kW 和 22kW 版本同步推进欧美市场开发。

国内厂商也在排队。富特科技 2026 年初公告募投项目,把 GaN 双向开关用进单级 OBC,原型机已跑通,目标功率密度 6kW/L 以上

技术路线收敛得比预期快,剩下的比赛是谁先把单级拓扑做到规模量产。

头部 Tier1 一个接一个下场,GaN 上 OBC 已经不是技术选项,是排期问题。

04.

耐压已经不是门槛,那什么是?

传得最广的误解是 GaN 只适合 400V。

2026 年的实际产品里,原边 GaN 副边 SiC 的组合已经覆盖 400V 到 800V,GaN 的耐压焦虑正在被架构设计消化。

400V 和 800V 说的是电池平台电压,不是所有器件的耐压要求。

OBC 原边接的是电网侧,母线电压在 400V 量级,650V GaN 有足够裕量;电池侧的 800V 由副边 1200V SiC 去扛。

器件实际承受的电压取决于它在拓扑里的位置,不等于电池平台电压本身。

真正的卡点已经转移。650V 覆盖 OBC 工况够用,卡点转移到驱动、封装和可靠性数据积累。

GaN 需要专用驱动,负压关断、栅极抗扰这些工程题,SiC 早年都走过一遍。

封装寄生参数直接决定开关尖峰和 EMI 表现,谁把封装做干净,谁就握住车规认证的主动权。

可靠性是车规的生死线。GaN 在车上的累计运行数据远少于 SiC,这是所有车厂谨慎的根源。

致能半导体把蓝宝石衬底减薄到 50 微米,据致能半导体披露,宣称热阻 0.8 摄氏度每瓦,约为硅基 GaN 的一半,2025 年 11 月实现 8 英寸蓝宝石基 GaN 规模量产。

650V 不是门槛,说的是 OBC 这个战场。要把 GaN 从 OBC 推到主驱,耐压就成了新门槛。

致能半导体的第二张牌是 1200V。预计 2026 年三季度完成 1200V 蓝宝石双向 GaN 可靠性验证,如果落地,GaN 就摸到了主驱的门槛。

这是未来两年最值得盯的节点,也是 SiC 阵营最需要警惕的变量。

05.

分界线会移动,但不会消失

把两边的牌摊开。SiC 的护城河是 1200V 车规成熟度、十年供应链积累和 8 英寸量产降本,2026 年已在 OBC 占约三到四成渗透率。

GaN 的进攻点是硅基晶圆上的成本结构和单级拓扑的系统优势,从 6% 追到 12%。

两边都清楚对方的长处。

我的判断是,未来三年 OBC 端 GaN 份额继续爬升,SiC 在 OBC 端仍是主力,大功率双向方案里尤其如此,只是增量被 GaN 拿走一部分。

800V 主驱 SiC 的统治地位,短期看不到挑战者。

为什么攻守切换点是 1200V,不是 900V 也不是 1500V?OBC 原边母线是 400V 量级,650V GaN 够用;主驱逆变器的母线 800V 起,器件耐压至少要 1200V。

1200V 车规 GaN 量产,等于 GaN 从 OBC 的辅助位跨进主驱的主功率位。

06.

写在最后

回到开头那个反直觉的现象。OBC 装机量在缩,缩的是单件产品,不是这个环节的价值,技术换代反而因为这个缩量跑得更快。

GaN 用一年把渗透率从 6% 追到 12%,靠的不是材料先进,是单级拓扑算通了成本账。

说它占了主位是误读,SiC 手里还有三到四成的盘子,硅基方案也远没出局也远没出局。

站在今天的时间点往后看,真正的分水岭还是 1200V 车规 GaN 量产那天,致能半导体预计的三季度验证节点正好落在眼前这个窗口里。

那一步迈过去,分界线才会从 OBC 一路推到主驱门口。

在那之前,SiC 和 GaN 的关系就是分工,不是战争,而市场越缩,这条分界线的每一次移动,都值得盯紧。

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