驱动隔离电源专用的正激DCDC芯片BTP1521x

基本半导体自主研发的BTP1521x是一款正激DCDC开关电源芯片，集成上电软启动功能及过温保护功能，输出功率可达6W。该电源芯片工作频率通过OSC脚设定，最高工作频率可达1.3MHz，适用于给隔离驱动芯片副边电源供电。芯片有SOP-8封装、DFN3*3-8封装两种封装形式。

功能框图

产品特点

输出功率可达6W

软启动时间1.5ms

工作频率可编程，最高工作频率可达1.3MHz

VCC供电电压可达20V

VCC欠压保护点4.7V

工作环境温度-40~125℃

芯片过温保护点160℃，过温恢复点120℃

推荐电路

BTP1521x推荐电路（功率小于6W情况下）

DC1和DC2接变压器原边线圈，副边二极管桥式整流，组成开环的全桥拓扑（H桥逆变），输出功率可达6W, 输出经过电阻和稳压管分压后构成正负压，供SiC MOSFET使用，非常适用于给隔离驱动芯片副边电源供电。

BTP1521x推荐电路（功率大于6W情况下）

当副边需求功率大于6W时， 可以使用推挽逆变拓扑，通过DC1和DC2 端控制外接的MOSFET来增加输出功率。

应用领域

充电桩模块

焊机电源

伺服电机驱动

光伏逆变器

储能PCS

典型应用

针对碳化硅MOSFET的隔离驱动电源应用

(BTP1521x搭配电源变压器TR-P15DS23-EE13)

针对+18/-4V碳化硅MOSFET隔离驱动电源

副边两路输出，单路输出功率可达2W，总输出功率4W

输入电压15V，副边全桥整流输出全电压（VISO-COM=23.3V）

输出全电压通过4.7V的稳压管，将全电压拆分成正电压（VISO-VS=18.6V）、负电压（COM-VS=-4.7V）

BTP1521的OSC管脚通过电阻R5=43kΩ接地，设置工作频率为f=469kHz

建议在PCB布局时，将底部散热焊盘连接到芯片GND（针对DFN3*3-8封装）

双通道电源变压器TR-P15DS23-EE13介绍

TR-P15DS23-EE13是驱动器专用的隔离电源变压器，采用EE13骨架，可实现驱动器隔离供电，传输功率可达4W （每通道2W）

如上原理框图中，N1原边线圈，N2和N3是副边线圈

采用EE13磁芯，磁芯材质铁氧体

参考设计

碳化硅MOSFET驱动板参考设计一

（针对34mm碳化硅MOSFET模块）

即插即用驱动板型号为BSRD-2427-ES01

2通道输出，单通道输出功率2W

驱动芯片直接输出峰值拉灌电流10A，无须外置推动级

可支持1200V的功率器件(34mm碳化硅MOSFET模块)

碳化硅MOSFET驱动板参考设计二

（针对Easy系列碳化硅MOSFET模块）

即插即用驱动板型号为BSRD-2423-ES01

两组输入电压，分别是24V和5V

2通道输出，单通道输出功率2W

驱动芯片直接输出峰值拉灌电流10A，无须外置推动级

可支持驱动1200V的功率器件(SiC MOSFET)

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